요약 | 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 높은 휘발성을 가지고 있어 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이며, n은 1 내지 4이다.) |
---|---|
Int. CL | C23C 16/18 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C07F 11/00 (2006.01) |
CPC | C07F 11/00(2013.01) C07F 11/00(2013.01) C07F 11/00(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120049235 (2012.05.09) |
출원인 | 한국화학연구원 |
등록번호/일자 | 10-1306813-0000 (2013.09.04) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20130910) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.05.09) |
심사청구항수 | 4 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박보근 | 대한민국 | 강원 원주시 남원로***번길 * |
2 | 김창균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 정택모 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 이영국 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 임종선 | 대한민국 | 대전 유성구 |
6 | 정석종 | 대한민국 | 대전 유성구 |
7 | 여소정 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0371113-69 |
2 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0577025-06 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물:[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이며, n은 1 내지 4이다 |
2 |
2 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 청구항 1에 따른 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물의 제조방법:[화학식 2](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이며, X는 할로겐 원자이고, n은 1 내지 4이다 |
3 |
3 청구항 1의 텅스텐 화합물을 이용하여 텅스텐을 포함하는 박막을 성장시키는 방법 |
4 |
4 청구항 3에 있어서,박막 성장 공정이 화학 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국화학연구원 | 미래기반기술개발사업 | CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성 |
2 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 기관고유사업 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1306813-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120509 출원 번호 : 1020120049235 공고 연월일 : 20130910 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130822 청구범위의 항수 : 4 유별 : C07F 11/00 발명의 명칭 : 신규의 텅스텐 아미노아미드 아지드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 100,500 원 | 2013년 09월 05일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2016년 06월 07일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2017년 08월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 64,000 원 | 2018년 06월 27일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 126,000 원 | 2019년 07월 11일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0371113-69 |
2 | 등록결정서 | 2013.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0577025-06 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
기술번호 | KST2015000764 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국화학연구원 |
기술명 | 신규의 텅스텐 아미노아미드 아지드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
기술개요 |
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 높은 휘발성을 가지고 있어 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이며, n은 1 내지 4이다.) |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 반도체 소자 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415127036 |
---|---|
세부과제번호 | KK-1202-D0 |
연구과제명 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국화학연구원 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201001~201212 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711005214 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50169 |
연구과제명 | CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345176438 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50169 |
연구과제명 | CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 나노기반 정보.에너지 사업본부 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415127036 |
---|---|
세부과제번호 | KK-1202-D0 |
연구과제명 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국화학연구원 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201001~201212 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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