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이동하는 물질의 질량에 따라 공진 주파수가 변화하는 원리를 이용하여 목적물의 질량 및 특성을 측정할 수 있는 미세채널 공진기 제조방법에 있어서,실리콘기판을 제공하는 단계;상기 실리콘기판의 내부에 공동 채널(cavity channel)을 형성하는 단계;상기 공동 채널의 내부 벽면을 산화시켜 상기 공동 채널의 내부 벽면에 중공형 산화실리콘 구조체를 형성하는 단계;상기 중공형 산화실리콘 구조체의 내부 벽면에 중공형 폴리실리콘 구조체를 형성하는 단계; 및상기 중공형 폴리실리콘 구조체가 상기 실리콘기판에 대해 공진 운동 가능하도록 상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 주변을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하고,상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 주변을 선택적으로 제거함에 따라 잔류된 상기 중공형 폴리실리콘 구조체에 의해 이동하는 물질이 공진 운동하기 위한 중공형 미세 채널구조체(fine channel structure)가 제공되는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 중공형 폴리실리콘 구조체가 상기 실리콘기판에 대해 공진 운동 가능하도록 상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 주변을 선택적으로 제거하는 단계에서,상기 실리콘기판 및 상기 중공형 산화실리콘 구조체는 단일 제거 공정 또는 복수의 제거 공정에 의해 제거 가능한 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 내부 벽면을 산화시켜 상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 내부 벽면에 2차 중공형 산화실리콘 구조체를 형성하는 단계;상기 2차 중공형 산화실리콘 구조체의 내부에 2차 중공형 폴리실리콘 구조체를 형성하는 단계; 및상기 2차 중공형 산화실리콘 구조체를 제거하는 단계;를 더 포함하며,상기 미세 채널구조체는 상기 2차 중공형 폴리실리콘 구조체에 의해 정의되되, 상기 2차 중공형 산화실리콘 구조체 및 상기 2차 중공형 폴리실리콘 구조체를 이용하여 상기 미세 채널구조체의 높이 및 폭을 축소 조절 가능한 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘기판의 내부에 공동 채널(cavity channel)을 형성하는 단계는,상기 실리콘기판 상에 복수개의 트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및상기 복수개의 트렌치를 이용하여 상기 실리콘기판의 내부에 상기 공동 채널을 형성할 수 있도록 상기 실리콘기판을 어닐링(annealing)하는 단계;를 포함하고,상기 실리콘기판의 어닐링시 서로 인접한 상기 트렌치가 서로 연결되며 상호 협조적으로 상기 공동 채널을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 공동 채널을 형성한 후 상기 실리콘기판의 상면에 폴리실리콘 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 중공형 폴리실리콘 구조체의 주변을 선택적으로 제거함에 따라, 상기 미세 채널구조체는 일단에 고정단을 가지며 타단에 자유단을 갖는 캔틸레버(cantilever) 구조로 제공되는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 미세 채널구조체의 주변을 선택적으로 제거함에 따라, 상기 미세 채널구조체는 양단에 고정단을 갖는 브릿지(bridge) 구조로 제공되는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘기판에 글라스기판을 접합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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제8항에 있어서,상기 글라스기판을 접합하기 전에 상기 미세 채널구조체의 상면에 제1전극층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 글라스기판에는 상기 제1전극층과 이격되게 제2전극층이 제공되는 것을 특징으로 하는 미세채널 공진기 제조방법
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