요약 | 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 4로 표시되는 갈륨 전구체에 관한 것으로, 상기 갈륨 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황화갈륨 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기 이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)[화학식 4](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.) |
---|---|
Int. CL | C07F 5/00 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) |
CPC | C07F 5/003(2013.01) C07F 5/003(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130046346 (2013.04.25) |
출원인 | 한국화학연구원 |
등록번호/일자 | 10-1530044-0000 (2015.06.12) |
공개번호/일자 | 10-2014-0127682 (2014.11.04) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20150618) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.04.25) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박보근 | 대한민국 | 강원 원주시 남원로***번길 * |
2 | 김창균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 정택모 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 전동주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 박주현 | 대한민국 | 대전 서구 |
6 | 정석종 | 대한민국 | 대전 유성구 |
7 | 이영국 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.04.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0367547-55 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0837670-91 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0124791-71 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.02.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0124792-16 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.06.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0387812-34 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 전구체:[화학식 1](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다 |
2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 갈륨 전구체 |
3 |
3 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 갈륨 전구체의 제조방법:[화학식 2](상기 식에서, M은 Li, Na, K 또는 NH4 이고, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다 |
4 |
4 하기 화학식 4로 표시되는 갈륨 전구체:[화학식 4](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다 |
5 |
5 청구항 4에 있어서,상기 R1, R2는 서로 독립적으로 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되고, 상기 R3, R4는 서로 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 갈륨 전구체 |
6 |
6 하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는, 청구항 4의 화학식 4로 표시되는 갈륨 전구체의 제조방법:[화학식 1](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다 |
7 |
7 청구항 1 또는 청구항 4의 갈륨 전구체를 이용하여 황화갈륨 박막을 성장시키는 방법 |
8 |
8 청구항 7에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR101331970 | KR | 대한민국 | FAMILY |
2 | KR101331971 | KR | 대한민국 | FAMILY |
3 | KR101331972 | KR | 대한민국 | FAMILY |
4 | KR101380897 | KR | 대한민국 | FAMILY |
5 | KR101472473 | KR | 대한민국 | FAMILY |
6 | KR101503031 | KR | 대한민국 | FAMILY |
7 | KR101530042 | KR | 대한민국 | FAMILY |
8 | KR101530043 | KR | 대한민국 | FAMILY |
9 | KR101530045 | KR | 대한민국 | FAMILY |
10 | KR1020130127024 | KR | 대한민국 | FAMILY |
11 | WO2013165221 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국화학연구원 | 미래기반기술개발사업 | CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성 |
2 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 기관고유사업 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
특허 등록번호 | 10-1530044-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130425 출원 번호 : 1020130046346 공고 연월일 : 20150618 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150610 청구범위의 항수 : 8 유별 : C07F 5/00 발명의 명칭 : 아미노싸이올레이트를 이용한 갈륨 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2015년 06월 15일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 108,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 108,000 원 | 2019년 06월 10일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.04.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0367547-55 |
2 | 의견제출통지서 | 2014.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0837670-91 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0124791-71 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.02.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0124792-16 |
5 | 등록결정서 | 2015.06.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0387812-34 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
기술번호 | KST2015000922 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국화학연구원 |
기술명 | 아미노싸이올레이트를 이용한 갈륨 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
기술개요 |
본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 4로 표시되는 갈륨 전구체에 관한 것으로, 상기 갈륨 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황화갈륨 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기 이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)[화학식 4](상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.) |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | CIGS 박막 태양전지 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1711005214 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50169 |
연구과제명 | CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711009155 |
---|---|
세부과제번호 | KK-1302-F0 |
연구과제명 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201001~201412 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020140097453] | 란탄족 금속 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(LANTHANIDE METAL PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME) | 새창보기 |
---|---|---|
[1020140086145] | 루테늄 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(Ruthenium precursors, preparation method thereof and process for the formation of thin films using the same) | 새창보기 |
[1020130136364] | 안티몬-텔루륨 단일 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130136363] | 게르마늄-텔루륨 단일 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130126765] | 단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020130121987] | 텅스텐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130121986] | 루테늄 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130121985] | 몰리브데넘 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130050315] | 황화 니켈 박막의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020130050310] | 루테늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046352] | 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046351] | 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046350] | 아미노싸이올레이트를 이용한 갈륨 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046349] | 아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046347] | 아미노싸이올레이트를 이용한 주석 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046346] | 아미노싸이올레이트를 이용한 갈륨 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046345] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046344] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046343] | 아미노싸이올레이트를 이용한 납 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130046342] | 아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020130022728] | 열박음을 통한 단결정 성장용 압력용기 | 새창보기 |
[1020130020560] | 연속식 암모노써멀 합성 반응기를 이용한 초임계 암모니아 내에서의 Ⅲ족 질화물 분말의 제조 | 새창보기 |
[1020120049235] | 신규의 텅스텐 아미노아미드 아지드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120049233] | 신규의 텅스텐 실릴아미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120049229] | 신규의 텅스텐 아미노아미드 할로겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120049225] | 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120048239] | 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 구리 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120048230] | 아미노싸이올레이트를 이용한 주석 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120047442] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[1020120013032] | 아연주석산화물 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110043089] | 세자리 베타-디케티민 화합물, 스트론튬 또는 바륨 세자리 베타-디케티미네이트 화합물 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110039028] | 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110020943] | 플루오르를 포함하는 리간드를 갖는 새로운 주석 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110000493] | 신규한 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100094200] | 신규의 갈륨 글리콜레이트 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015138986][한국화학연구원] | 신규의 인듐 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015139880][한국화학연구원] | 신규의 프라세오디뮴 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015000915][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000924][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 갈륨 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000754][한국화학연구원] | 신규의 텅스텐 아미노아미드 할로겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000876][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2022017667][한국화학연구원] | 루테늄함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 루테늄함유 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015138869][한국화학연구원] | 신규의 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016006376][한국화학연구원] | 란탄족 금속 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(LANTHANIDE METAL PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2018006758][한국화학연구원] | 13족 금속 전구체, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 박막의 제조방법(Group 13 metal precursor, composition for depositing thin film comprising the same, and a process for producing the thin film using the composition) | 새창보기 |
[KST2015001267][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015140549][한국화학연구원] | 신규의 갈륨 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2023003915][한국화학연구원] | 신규한 유기 인듐 화합물 및 이를 이용한 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015000756][한국화학연구원] | 신규의 텅스텐 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000874][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000755][한국화학연구원] | 신규의 텅스텐 실릴아미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015138879][한국화학연구원] | 구리 아미노알콕사이드 선구 물질을 사용하여 원자층 증착법으로 구리 박막을 제조하는 방법 | 새창보기 |
[KST2014033230][한국화학연구원] | 신규의 티타늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014024383][한국화학연구원] | 신규의 인듐 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015140484][한국화학연구원] | 유기알루미늄 화합물을 이용한 규소 (111) 기질 상의 질화알루미늄 막의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015000649][한국화학연구원] | 신규의 갈륨 글리콜레이트 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015138996][한국화학연구원] | 카바자이트계 금속 착화합물 및 이를 이용한 금속 칼코게나이드 나노입자의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2017008281][한국화학연구원] | 인듐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(INDIUM PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILM USING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2015000716][한국화학연구원] | 플루오르를 포함하는 리간드를 갖는 새로운 주석 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015000916][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015139004][한국화학연구원] | 신규의 인듐 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015000872][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015000764][한국화학연구원] | 신규의 텅스텐 아미노아미드 아지드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015001269][한국화학연구원] | 스트론튬 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015140472][한국화학연구원] | 아미노싸이올레이트를 이용한 아연 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|