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하기 화학식 1로 표시되는 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체
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청구항 1에 있어서,상기 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체는 희토류 금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체
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청구항 2에 있어서, 상기 희토류 금속은 La, Lu, Y 및 Sc으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체
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청구항 1에 있어서,상기 나노형광체는 여기시 자외선 영역 (220 ~ 400nm)에서 발광하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체
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청구항 1에 있어서, 상기 나노형광체의 입자 크기는 10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 자외선 발광 가돌리늄포스페이트 나노형광체
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7
(a) 란탄족 금속(Ln) 및 가돌리늄(Gd)의 양이온과 포스페이트 음이온을 혼합하여 배양용액을 형성하는 단계; (b) 상기 배양용액을 침전시키는 단계; 및 (c) 침전물에 대하여 600도 내지 1000도에서, 1시간 내지 24시간 후열처리를 수행하는 단계를 포함하는 청구항 1의 가돌리늄포스페이트 나노형광체의 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 란탄족 금속(Ln) 및 가돌리늄(Gd))의 양이온은 수용성 염의 형태로 혼합되며,상기 수용성 염은 금속 질산염, 황산염, 탄산염 ,할로겐화물 혹은 수산화물 중 어느 하나의 형태인 것을 특징으로 하는 가돌리늄포스페이트 나노형광체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 포스페이트 음이온은 인산(H3PO4), 오소포스페이트(orthophosphate), 수소화된 포스페이트 유도체(hydrogenated derivative, e
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청구항 7에 있어서, 상기 란탄족 금속(Ln) 및 가돌리늄(Gd)의 양이온과 포스페이트 음이온은 1:0
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