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전도성 투명 기재 상에 차단층을 형성하는 단계;상기 차단층 상에 콜로이드 결정층을 형성하는 단계;상기 콜로이드 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 입자-함유 용액을 주입한 후 소결하여 상기 콜로이드 결정층을 선택적으로 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 전구체-함유 용액에 침지시켜 상기 제 1 전이금속 산화물층에 제 2 전이금속 산화물층을 코팅하여 다공성 3차원 구조체를 형성하는 단계; 상기 다공성 3차원 구조체를 표면처리하는 단계; 및,상기 표면처리된 다공성 3차원 구조체에 감광성 염료를 흡착시키는 단계를 포함하며,상기 표면처리는 산소 플라즈마를 조사한 후 산처리하여 상기 다공성 3차원 구조체의 표면을 양성자화 하는 것인,염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물 반도체를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 입자의 크기는 100 nm 이하인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물층의 두께는 상기 제 2 전이금속 산화물 전구체-함유 용액의 농도 또는 상기 침지 시간에 의하여 조절될 수 있는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물층은 500 nm 이하의 두께를 가지는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 휘발성 용매에 콜로이드 입자가 분산되어 있는 콜로이드 용액을 상기 전도성 투명 기재 상에 도포하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠 (PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA), 또는 이들의 조합을 함유하는 콜로이드 입자를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 3차원 구조체의 기공은 100 nm 내지 5 ㎛의 크기를 가지는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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