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(a) 반도체 제조 과정에서 발생되는 실리콘 슬러지를 증류하여 유분을 제거하는 증류단계;(b) 증류단계를 마친 실리콘 슬러지를 증류수에 분산시켜 실리콘 슬러지 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 실리콘 슬러지 용액을 초음파처리 하는 단계;(d) 초음파처리를 마친 실리콘 슬러지 용액을 원심분리하여 상분리하는 단계;(e) 상기 상분리된 실리콘 슬러지 용액에서 실리콘카바이드입자를 회수하는 회수단계; 및(f) 상기 실리콘카바이드입자를 염소가스와 반응시키는 단계;를 포함하며,상기 단계(f)의 반응 후 미반응 실리콘카바이드 입자를 여과하는 포집단계를 더 포함하는 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계(a)에서 실리콘 슬러지의 증류는 100 내지 300℃에서 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계(b)의 실리콘 슬러지 용액은 실리콘 슬러지를 2 내지 4 중량% 로 포함하는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계(c)의 초음파처리는 100 W 내지 500 W 의 강도에서 10 내지 300분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계(d)의 원심분리는 300 내지 700 rpm에서 5 내지 100 분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계(f)에서 실리콘카바이드입자와 염소가스의 반응은 500 내지 2000℃에서 30 내지 600분동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 실리콘 슬러지의 증류는 150 내지 200℃에서 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 초음파처리는 200 W 내지 400 W 강도에서 20 내지 240분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 원심분리는 450 내지 550 rpm에서 5 내지 75 분동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 실리콘카바이드입자와 염소가스의 반응은 800 내지 1500℃에서 50 내지 500분동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 포집단계 이후 미반응 염소가스를 흡수 및 제거하는 단계를 더 포함하는 실리콘 슬러지로부터 실리콘염화물의 제조방법
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