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실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법

  • 기술번호 : KST2015001031
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 과정에서 발생되는 폐실리콘 슬러지로부터 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법을 통해 실리콘 슬러지에 포함되어 있는 유분, 철분, 실리콘카바이드를 제거하고 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수 할 수 있으며, 특정성분의 침출을 위해 첨가물을 투여하거나 철분을 제거하기 위해 자력선별기 등 별도의 장치를 요구하지 않으면서도 높은 효율로 실리콘을 회수할 수 있다.
Int. CL B01D 17/038 (2006.01) B01J 19/10 (2006.01) C01B 33/037 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120037647 (2012.04.11)
출원인 한국지질자원연구원
등록번호/일자 10-1355816-0000 (2014.01.21)
공개번호/일자 10-2013-0115059 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국지질자원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장희동 대한민국 대전 유성구
2 장한권 대한민국 대전 서구
3 길대섭 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국지질자원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0288094-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028813-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0573612-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0904461-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0904434-02
7 등록결정서
Decision to grant
2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0035153-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2014-0097650-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.07.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5114414-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 제조 과정에서 발생되는 실리콘 슬러지를 증류하여 유분을 제거하는 증류단계;(b) 증류단계를 마친 실리콘 슬러지를 증류수에 분산시켜 실리콘 슬러지 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 실리콘 슬러지 용액을 초음파처리 하는 단계;(d) 초음파처리를 마친 실리콘 슬러지 용액을 원심분리하여 상분리하는 단계; 및(e) 상기 상분리된 실리콘 슬러지 용액에서 실리콘입자를 회수하는 회수단계;를 포함하며,상기 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 회수율이 35 내지 90%인실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 단계(a)에서 실리콘 슬러지의 증류는 100 내지 300℃에서 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 단계(b)의 실리콘 슬러지 용액은 실리콘 슬러지를 2 내지 4 중량% 로 포함하는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 단계(c)의 초음파처리는 100 W 내지 500 W 의 강도에서 10 내지 300분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 단계(d)의 원심분리는 300 내지 700 rpm에서 5 내지 100 분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
6 6
제 2항에 있어서,상기 실리콘 슬러지의 증류는 150 내지 200℃에서 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
7 7
제 4항에 있어서,상기 초음파처리는 200 W 내지 400 W 의 강도에서 20 내지 240분 동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
8 8
제 5항에 있어서,상기 원심분리는 450 내지 550 rpm에서 5 내지 75 분동안 수행되는 것인 실리콘 슬러지로부터 실리콘의 분리 및 회수방법
9 9
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 한국지질자원연구원 글로벌탑 환경기술개발사업 반도체,태양전지용 실리콘 컷팅 슬러지로부터 초고순도 Si 제조 기술 개발