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SUS 기판 상에 형성된 텅스텐(W) 나노튜브(nanotube) 어레이를 포함하되, 텅스텐(W) 나노튜브들의 측면 전체와 텅스텐(W) 나노튜브들 사이의 SUS 상에 아노다이징된 텅스텐이 형성되어 있으며, 텅스텐(W) 나노튜브들의 각 상부면은 아노다이징되지 않은 면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드
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제1항에 있어서,상기 텅스텐(W) 나노튜브들의 측면을 제외한 상기 텅스텐(W) 나노튜브들의 각 상부의 평탄면에서만 열전자를 방출하여 방출되는 열전자가 직진성을 가지도록 하기 위한 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드
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일정 크기의 SUS 상의 전면에 텅스텐(W)과 알루미늄(Al)을 일정 두께로 차례로 형성한 기판 상에 마스크를 이용해 PR 패턴을 형성하는 단계;상기 PR 패턴이 형성된 기판 상에 아노다이징 보호막을 형성한 후 상기 PR 패턴 상의 아노다이징 보호막을 제거하고 상기 PR 패턴을 제거하는 단계;상기 PR 패턴 상의 아노다이징 보호막과 상기 PR 패턴을 제거한 기판을 아노다이징하여 텅스텐(W) 나노튜브 어레이를 형성하는 단계; 및상기 텅스텐(W) 나노튜브 어레이의 상부면에 남아있는 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드의 제작 방법
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제3항에 있어서, 상기 텅스텐(W) 나노튜브 어레이를 형성하는 단계에서,상기 아노다이징에 의해 상기 알루미늄의 층과 상기 텅스텐(W)의 층을 관통하여 SUS까지 산화 에칭되도록 하여, 텅스텐(W) 나노튜브들 각각의 측면 전체와 텅스텐(W) 나노튜브들 사이의 SUS 상에 아노다이징된 텅스텐이 형성되며, 각 튜브 상부면은 알루미늄이 남아 있게 된 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드의 제작 방법
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제3항에 있어서, 상기 아노다이징 보호막은, 폴리우레탄, 또는 Pitch인 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드의 제작 방법
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제3항에 있어서, 상기 아노다이징 보호막의 형성 시에 수성 보호막액을 붓으로 칠하는 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 캐소드의 제작 방법
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