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웨이퍼의 휨 발생 방지와 방열기능을 부여하는 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징 공정

  • 기술번호 : KST2015001229
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방열과 휨 감소를 위한 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징 공정에 관한것으로서, 더욱 상세하게는 캐리어 위로 양면 점착테이프를 테이핑하는 단계(S10)와, 상기 양면 점착테이프 위로 실리콘 칩을 배열하는 단계(S20)와, 상기 배열된 실리콘 칩을 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩하는 단계(S30)와, 상기 몰딩 단계(S30)를 거쳐 형성된 에폭시 몰딩 컴파운드의 적층 높이를 실리콘 칩과 동일하게 유지하기 위하여 연마하는 폴리싱 단계(S40)와, 상기 폴리싱 단계(S40)를 거쳐 실리콘 칩과 에폭시 몰딩 컴파운드의 적층 높이를 동일하게 유지하는 면 위로 접착층을 형성하는 단계(S50)와, 상기 접착층 위로 휨방지층을 형성하는 단계(S60)와, 상기 캐리어와 양면 점착테이프를 상기 실리콘 칩으로부터 분리하는 단계(S70)와, 상기 캐리어와 양면 점착테이프가 분리된 위치의 실리콘 칩에 재분배 층(60)을 형성하는 단계(S80)와, 상기 재분배 층에 솔더볼을 형성하여 웨이퍼를 이루는 단계(S90)와, 상기 웨이퍼를 바둑판상으로 절단하는 다이싱 단계(S100)를 포함하여 이루어지는 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징 공정에 관한 것이다.
Int. CL H01L 23/34 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120136764 (2012.11.29)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1393701-0000 (2014.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 좌성훈 대한민국 서울 서초구
2 김경호 대한민국 경기 성남시 중원구
3 이미경 대한민국 서울 노원구
4 정훈선 대한민국 서울 노원구
5 은경태 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고광석 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로***, ***호(가산동, 에이스하이엔드타워*차)(특허법인 충무 에디아 분사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0989357-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097302-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0137050-74
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0216004-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0215985-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0287014-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2015-5084292-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5111449-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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캐리어(100) 위로 양면 점착테이프(200)를 테이핑하는 단계(S10)와,상기 양면 점착테이프(200) 위로 실리콘 칩(10)을 배열하는 단계(S20)와,상기 배열된 실리콘 칩(10)을 에폭시 몰딩 컴파운드(20)로 몰딩하는 단계(S30)와,상기 몰딩 단계(S30)를 거쳐 형성된 에폭시 몰딩 컴파운드의 적층 높이를 실리콘 칩(10)과 동일하게 유지하기 위하여 연마하는 폴리싱 단계(S40)와,상기 폴리싱 단계(S40)를 거쳐 실리콘 칩(10)과 에폭시 몰딩 컴파운드의 적층 높이를 동일하게 유지하는 면 위로 접착층(30)을 형성하는 단계(S50)와,상기 접착층(30) 위로 휨방지층(40)을 형성하는 단계(S60)와,상기 캐리어(100)와 양면 점착테이프(200)를 상기 실리콘 칩(10)으로부터 분리하는 단계(S70)와,상기 캐리어(100)와 양면 점착테이프(200)가 분리된 위치의 실리콘 칩(10)에 재분배 층(50)을 형성하는 단계(S80)와,상기 재분배 층(50)에 시그널을 전달하기 위한 솔더볼(60)을 형성하는 단계(S90)와,솔더볼(60)을 형성한 웨이퍼를 실리콘 칩 단위의 크기로 절단하는 다이싱 단계(S100)를 포함하여 이루어지는 것임을 특징으로 하는 웨이퍼의 휨 발생 방지와 방열기능을 부여하는 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징 공정에 있어서,휨방지층(40)은 밀도(Density)(g/㎤) 3
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