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반도체 또는 금속산화물 잉곳 제조장치

  • 기술번호 : KST2015001240
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상의 원료를 일정한 고화 방향성(solidification direction)을 갖도록 순차적으로 고상전이(liquid to solid phase transition)시켜 반도체 또는 금속산화물 잉곳을 제조하는 잉곳 제조장치에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 잉곳 제조장치는 반도체 또는 금속산화물 원료가 담지되는 도가니; 상기 도가니의 높이 방향을 종방향으로, 상기 종방향과 수직인 방향을 횡방향으로 하여, 상기 도가니에 종방향으로 일정거리 이격 구비되는 냉각 수단; 상기 도가니의 둘레면을 감싸도록 상기 도가니에 횡방향으로 일정거리 이격 구비되는 제1가열수단; 및 종방향으로 상기 도가니와 냉각 수단 사이에 구비되며 이동부에 의해 그 위치가 이동되는 단열 부재;를 포함하는 특징이 있다.
Int. CL C30B 11/00 (2014.01) H01L 21/02 (2014.01) C30B 28/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110082476 (2011.08.18)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1345747-0000 (2013.12.20)
공개번호/일자 10-2013-0020082 (2013.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20131230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문상진 대한민국 대전광역시 유성구
2 소원욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 박동순 대한민국 대전광역시 서구
4 구명회 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0641146-31
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0266121-75
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0548346-20
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0643167-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0643189-10
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0824164-61
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
액상의 원료를 일정한 고화 방향성(solidification direction)을 갖도록 순차적으로 고상전이(liquid to solid phase transition)시켜 반도체 또는 금속산화물 잉곳을 제조하는 잉곳 제조장치이며,반도체 또는 금속산화물 원료가 담지되는 도가니; 상기 도가니의 높이 방향을 종방향으로, 상기 종방향과 수직인 방향을 횡방향으로 하여, 상기 도가니에 종방향으로 일정거리 이격 구비되며 냉각수단 이송부에 의해 종방향으로 이동되는 냉각 수단; 상기 도가니의 둘레면을 감싸도록 상기 도가니에 횡방향으로 일정거리 이격 구비되는 제1가열수단; 종방향으로 상기 도가니와 냉각 수단 사이에 구비되며 이동부에 의해 그 위치가 이동되는 단열 부재; 및 단열 부재의 위치를 이동시키는 이동부 및 냉각수단 이송부를 제어하는 제어부를 포함하며,상기 제어부는 상기 가열 수단 및 상기 냉각 수단에 의한 상기 원료의 용융 및 순차적 고화 시, 고화 진행 정도에 따라 상기 단열 부재를 구성하는 단열체인 둘 이상의 평판 각각의 위치를 조절하고 상기 도가니와 상기 냉각수단간의 이격 거리를 조절하는 잉곳 제조장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 제어부는 상기 원료의 총 부피를 기준으로 10%이하의 고화가 진행된 정도를 고화 초기, 10~60%의 고화가 진행된 정도를 고화 중기 및 60% 이상의 고화가 진행된 정도를 고화 말기로 하여, 고화 진행 정도에 따라 상기 단열 부재를 구성하는 평판 각각의 위치를 조절하여, 상기 도가니와 냉각 수단 간 위치별 종방향으로의 상기 단열 부재의 총 두께를 제어하는 잉곳 제조장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 제어부는 상기 단열 부재를 구성하는 평판 각각의 위치를 조절하여, 상기 원료의 용융 시 상기 도가니 하부를 차폐하며, 상기 원료의 총 부피를 기준으로 10%이하의 고화가 진행된 정도를 고화 초기, 10~60%의 고화가 진행된 정도를 고화 중기 및 60% 이상의 고화가 진행된 정도를 고화 말기로 하여, 고화 진행 정도에 따라 상기 도가니와 상기 냉각 수단 간 관통 공을 형성하는 잉곳 제조장치
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 둘 이상의 평판은 두께, 형상, 크기 및 재질에서 하나 이상 선택된 인자가 서로 상이한 잉곳 제조장치
6 6
제 1항에 있어서,상기 이동부에 의해 상기 단열부재는 횡방향으로 이동되는 잉곳 제조장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제조장치는 상기 도가니를 사이에 두고 종방향으로 상기 냉각수단과 대향되도록 상기 도가니에 종방향으로 일정거리 이격 구비되는 제2가열수단을 더 포함하는 잉곳 제조장치
8 8
제 1항 내지 제 3항 및 제 5항 내지 제 7항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 둘 이상의 평판은 종 방향으로 동일 평면 또는 서로 다른 평면에 위치하는 잉곳 제조장치
9 9
제 8항에 있어서,상기 둘 이상의 평판이 서로 다른 평면에 위치하는 경우, 상기 평판들은 적어도 일부분이 종방향으로 서로 밀착된 잉곳 제조장치
10 10
제 8항에 있어서,상기 둘 이상의 평판은 다각판, 중공이 형성된 다각판, 원형판 또는 중공이 형성된 원형판이 N(N≥2인 자연수)개로 분할되어 형성된 N개의 조각인 잉곳 제조장치
11 11
제 8항에 있어서,상기 둘 이상의 평판은 서로 독립적으로 다각판, 중공이 형성된 다각판, 원형판 또는 중공이 형성된 원형판인 잉곳 제조장치
12 12
제 1항에 있어서,상기 반도체는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 또는 갈륨아르세나이드(GaAs)인 것을 특징으로 하는 잉곳 제조장치
13 13
제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 사파이어인 것을 특징으로 하는 잉곳 제조장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09528195 US 미국 FAMILY
2 US20140150717 US 미국 FAMILY
3 WO2013025072 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2013025072 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE112012003423 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 TW201317408 TW 대만 DOCDBFAMILY
3 TWI451008 TW 대만 DOCDBFAMILY
4 US2014150717 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9528195 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2013025072 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
7 WO2013025072 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.