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탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법 및 이에 따라 제조되는탄소가코팅된자성나노입자

  • 기술번호 : KST2015001261
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소가 코팅된 자성나노입자를 제공하는데 있다.이를 위하여 본 발명은 탄소를 포함하는 용매에 금속 전구체를 용해하여 금속 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 금속 전구체 용액에 초음파를 조사하여 탄소를 포함하는 자성나노입자를 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 금속 전구체 용액으로부터 탄소를 포함하는 자성나노입자를 석출하고 건조하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3의 탄소를 포함하는 자성나노입자를 열처리하여 탄소가 코팅된 자성나노입자를 제조하는 단계(단계 4); 를 포함하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법을 제공한다.본 발명에 따른 탄소가 코팅된 자성나노입자는 자기적 특성이 감소하지 않으면서 화학적, 열적 안정성이 향상된 수백 나노미터의 균일한 크기를 가지는 자성나노입자가 제조되어 고밀도저장장치, 자기공명영상, 생화학, 온열치료 및 약물전달 물질 등에 응용하여 사용이 가능한 효과가 있다.
Int. CL B01J 19/20 (2006.01) B22F 1/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/06 (2006.01)
CPC B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01) B22F 9/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120039978 (2012.04.17)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1335520-0000 (2013.11.26)
공개번호/일자 10-2013-0095602 (2013.08.28) 문서열기
공고번호/일자 (20131202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120017130   |   2012.02.20
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정규 대한민국 대전 서구
2 이승재 대한민국 대전 서구
3 정종진 대한민국 경기 고양시 일산서구
4 김미애 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0305370-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0065562-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0598605-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0934501-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0934506-38
7 등록결정서
Decision to grant
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802368-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소를 포함하는 용매에 금속 전구체를 용해하여 금속 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 금속 전구체 용액에 초음파를 조사하여 탄소를 포함하는 자성나노입자를 제조하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 금속 전구체 용액으로부터 탄소를 포함하는 자성나노입자를 석출하고 건조하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3의 탄소를 포함하는 자성나노입자를 열처리하여 탄소가 코팅된 자성나노입자를 제조하는 단계(단계 4);를 포함하되,상기 단계 2의 초음파는 2 kHz 내지 200 kHz의 강도로 1분 내지 12시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 금속 전구체는 금속염, 금속산화물 및 금속간화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 금속 전구체의 금속은 2족 금속, 13족 금속, 14족 금속, 전이 금속 및 란탄족 금속을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속염의 염은 질산염, 탄산염, 염화염, 산화염, 황산염, 아세트산염, 아세틸아세토네이트, 이들의 수화물 및 이들의 혼합을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매는 탄소의 원료물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 건조는 50 ℃ 내지 80 ℃의 온도에서 3 시간 내지 12 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 열처리는 200 ℃ 내지 800 ℃의 온도에서 3 시간 내지 12 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자의 제조방법
9 9
제1항의 제조방법에 따라 제조되는 100 nm 내지 1000 nm의 크기를 가지는 탄소가 코팅된 자성나노입자
10 10
제9항에 있어서, 상기 탄소가 코팅된 자성나노입자는 자료저장 매체, 생화학, 진단시약, 자기공명영상, 온열치료 및 약물전달체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 사용되는 것을 특징으로 하는 탄소가 코팅된 자성나노입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 복합기능을 갖는 광-자성(Opto-Magnetic) 무기나노입자 개발
2 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 초미세 분자이미징 기술 기반구축사업