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실란계 화합물 및 전해염을 유기용매에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1);템플레이트의 일면에 전극물질을 증착시키는 단계(단계 2); 및기준전극 및 보조전극이 구비된 전해조에 작업전극으로서 상기 단계 2에서 제조된 전극물질이 증착된 템플레이트를 위치시킨 후, 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액을 투입하고 전기화학적 환원법을 이용하여 실리콘 나노튜브를 형성시키는 단계(단계 3)를 포함하되,상기 단계 1의 실란계 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법:003c#화학식 1003e#SiX4 ,003c#화학식 2003e# RSiX3 ,상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,X 는 F, Cl, Br 또는 I 이고,R은 또는 이고,여기서, R'은 메틸, 트리플루오로메틸, 1,1,1-트리플루오로에틸, 1,1,1-트리플루오로프로필 또는 페닐이고, R"은 메틸, 1,1,1-트리플루오로에틸 또는 1,1,1-트리플루오로프로필이고,여기서, n은 0 내지 17의 정수이고, m은 0 내지 10의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 실란계 화합물은 테트라클로로실란(tetrachloro silane), 테트라브로모실란(tetrabromo silane), 테트라에틸실란(tetraethyl silane), 트리클로로실란(trichloro silane), 메틸트리클로로실란(methyl trichloro silane), 에틸트리클로로실란(ethyl trichloro silane) 및 메톡시(트리에톡시)프로필트리클로로실란(methoxy(triethoxy)propyl trichloro silane, MTETS)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 전해염은 테트라부틸암모늄클로라이드(tetrabutylammonium chloride), 테트라부틸암모늄브로마이드(tetrabutylammonium bromide), 테트라부틸암모늄퍼클로레이트(tetrabutylammonium perchlorate), 리튬퍼클로레이트(lithium perchlorate), 리튬클로라이드(lithium chloride), 리튬헥사플루오로포스페이트(lithium hexafluoro phosphate), 리튬테트라플루오로보레이트(lithium tetrafluoro borate) 및 리튬트리플루오로메탄술포네이트(lithium trifluoromethan sulfonate)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 유기용매는 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 에틸렌카보네이트(ethylene carbonate), 디메틸카보네이트(dimethyl carbonate), 디에틸카보네이트(diethyl carbonate), 메틸에틸카보네이트(methyl ethyl carbonate), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 디메톡시에탄(dimethoxy ethane), 디에틸렌글리콜 디메틸에테르(diethylene glycol dimethylether), 트리에틸렌글리콜 디메틸에테르(triethylene glycol dimethylether), 테트라에틸렌글리콜 디메틸에테르(tetraethylene glycol dimethylether) 및 아세토나이트릴(acetonitrile)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 템플레이트는 10-500 ㎚ 크기의 기공을 갖는 폴리머 멤브레인, 양극산화 알루미늄 및 양극산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전극물질은 니켈, 구리, 금 및 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 전기화학적 환원법은 -3
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