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1
기판;상기 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층되어 형성되는 반도체 적층구조;상기 p형 반도체층 상에 형성되는 투명 전극;상기 n형 반도체층에 접속되는 n형 전극;상기 투명 전극 상에 제공되는 절연성 반사층;상기 절연성 반사층 상에 제공되고, 유기물질로 이루어진 연성의 유기 층간절연층; 및상기 n형 전극 및 투명 전극에 각각 전기적으로 연결되도록 상기 유기 층간절연층 상에 제공되는 n형 및 p형 본딩 메탈을 포함하고,상기 절연성 반사층의 두께는 상기 유기 층간절연층의 두께보다 얇은 발광다이오드
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2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 투명 전극 상에 형성되는 접속 전극을 더 포함하는 발광다이오드
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3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 절연성 반사층은 굴절률이 서로 다른 복수의 물질층을 교번 적층하여 형성되는 분산 브래그 반사(DBR)층을 포함하는 발광다이오드
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4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 절연성 반사층은 상기 반도체 적층구조의 노출면과 상기 n형 전극을 피복하는 발광다이오드
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5 |
5
삭제
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6
청구항 1에 있어서,상기 유기물질은 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate), PVP(Poly-4-vinylphenol), PES(Polyethersulfone) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 발광다이오드
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7 |
7
청구항 1 내지 청구항 4, 및 청구항 6 중 어느 한 항의 발광다이오드가 서브마운트에 플립칩 본딩으로 접합되는 발광다이오드 플립칩 패키지
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8 |
8
기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 적층하여 반도체 적층구조를 형성하는 단계;상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 활성층 및 p형 반도체층을 부분적으로 식각하는 단계;상기 노출된 n형 반도체층 및 p형 반도체층 상에 각각 n형 전극 및 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 상에 절연성 반사층을 형성하는 단계;상기 절연성 반사층 상에 유기물질로 이루어진 연성의 유기 층간절연층을 형성하는 단계;상기 n형 전극 및 투명 전극 각각의 위치에 대응하여 상기 절연성 반사층의 일부가 노출되도록 상기 유기 층간절연층을 패터닝하는 단계;상기 n형 전극 및 투명 전극의 일부가 각각 노출되도록 상기 노출된 절연성 반사층에 비아홀을 형성하는 단계; 및상기 n형 전극 및 투명 전극의 노출면에 각각 전기적으로 연결되도록 상기 유기 층간절연층 상에 n형 및 p형 본딩 메탈을 형성하는 단계를 포함하고,상기 절연성 반사층의 두께는 상기 유기 층간절연층의 두께보다 얇게 형성하는 발광다이오드 제조방법
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9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 투명 전극 상에 접속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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10
청구항 8에 있어서,상기 절연성 반사층을 형성하는 단계는 굴절률이 서로 다른 복수의 물질층을 교번 적층하여 분산 브래그 반사(DBR)층으로 형성하는 발광다이오드 제조방법
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11
청구항 8에 있어서,상기 절연성 반사층을 형성하는 단계는 상기 반도체 적층구조의 노출면과 상기 n형 전극이 피복되도록 형성하는 발광다이오드 제조방법
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삭제
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13
청구항 8에 있어서,상기 유기 층간절연층을 패터닝하는 단계는,상기 유기물질이 감광성 물질인 경우에 상기 유기 층간절연층을 포토리소그래피(Photolithography) 방법으로 패터닝하고,상기 유기물질이 비감광성 물질인 경우에 상기 유기 층간절연층을 식각마스크를 이용해 식각하여 패터닝하는 발광다이오드 제조방법
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14
청구항 13에 있어서,상기 비아홀을 형성하는 단계는 상기 패터닝된 유기 층간절연층을 마스크로 이용해 상기 절연성 반사층을 식각하여 비아홀을 형성하는 발광다이오드 제조방법
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15
청구항 8 내지 청구항 11 및 청구항 13 내지 청구항 14 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 발광다이오드를 서브마운트에 플립칩 본딩방식으로 접합하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 플립칩 패키지 제조방법
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