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대향하는 상면 및 하면을 가지며, 상기 상면 및 하면에 볼록부 또는 오목부가 이격되어 다수 배열되는 요철 구조가 형성되는 기판;n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하고, 상기 기판의 상면 상에 위치하는 반도체 적층 구조물; 및상기 기판의 하면 하에 위치하는 반사층을 포함하고,상기 기판의 상면에 형성되는 볼록부 또는 오목부는 상기 기판의 하면에 형성되는 볼록부 또는 오목부 사이의 대응하는 위치에 각각 배열되며,상기 기판의 하면에는 상기 기판의 하면에 형성된 볼록부의 사이 또는 오목부의 적어도 일부를 반사층으로 채워 제 1 광 추출 구조가 형성되고,상기 기판의 상면에는 상기 기판의 상면에 형성된 볼록부의 사이 또는 오목부의 적어도 일부를 반도체 적층 구조물로 채워 제 2 광 추출 구조가 형성되고,상기 기판 및 반도체 적층 구조물 중 적어도 하나의 측면은 상부로 갈수록 폭이 좁아지도록 상기 기판의 수직 방향에 대하여 경사 형성되어, 상기 제 1 광 추출 구조에 의하여 반사되는 광 및 상기 제 2 광 추출 구조에 의하여 굴절 또는 반사되는 광을 상기 경사 형성된 측면으로 방출하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 볼록부 또는 오목부는 상기 기판의 상면 및 하면을 각각 패터닝하여 형성되는 발광 다이오드 소자
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청구항 1 또는 청구항 3 중 어느 한 항의 발광 다이오드 소자; 및상기 발광 다이오드 소자를 내부에 수용하고, 상부로 갈수록 폭이 넓어지는 컵의 형상으로 형성되어 상기 발광 다이오드 소자의 측면으로 방출되는 광을 상부로 반사하는 반사 컵을 포함하는 발광 다이오드 모듈
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기판의 상면 및 하면을 각각 패터닝하여 볼록부 또는 오목부가 이격되어 다수 배열되는 요철 구조를 형성하는 과정;상기 기판의 하면 하에 반사층을 형성하는 과정; 및상기 기판의 상면 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조물을 형성하는 과정을 포함하고,상기 반사층을 형성하는 과정 중에 상기 반사층을 이루는 물질을 상기 기판의 하면에 형성되는 볼록부의 사이 또는 오목부의 적어도 일부에 채움으로써 제 1 광 추출 구조를 형성하고,상기 반도체 적층 구조물을 형성하는 과정 중에 상기 반도체 적층 구조물을 이루는 물질을 상기 기판의 상면에 형성되는 볼록부의 사이 또는 오목부의 적어도 일부에 채움으로써 제 2 광 추출 구조를 형성하고,상기 제 1 광 추출 구조에 의하여 반사되는 광 및 상기 제 2 광 추출 구조에 의하여 굴절 또는 반사되는 광을 측면으로 방출시키기 위하여, 상기 기판 및 반도체 적층 구조물 중 적어도 하나의 측면을 상부로 갈수록 폭이 좁아지도록 상기 기판의 수직 방향에 대하여 경사지도록 형성하는 과정을 더 포함하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 볼록부 또는 오목부는 상기 기판의 상면 및 하면을 각각 건식 또는 습식 식각하여 형성하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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