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전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판;상기 하부판 상에 적층되고, 상하가 개방된 오픈부 형상의 복수의 수용부가 서로 이격되어 형성된 도광판; 및상기 도광판에 형성된 복수의 수용부에 각각 수용되는 복수의 측면 발광다이오드칩; 및상기 도광판 상에 적층되는 확산판을 포함하고,상기 측면 발광다이오드칩은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물을 포함하며,상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 제1 반사층 및 제 2 반사층을 각각 형성하여 상기 활성층에서 발광된 빛이 상기 측면 발광다이오드칩의 측면을 통하여 방출되고,상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층 중에서 적어도 어느 하나의 반사층은 상기 활성층에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 포함하며,상기 복수의 수용부는 상기 복수의 측면 발광다이오드칩이 수용되고 남는 여유 공간에 형광체가 포함된 투명 수지가 채워지고,상기 투명 수지는 상기 복수의 수용부를 완전히 채워 상기 도광판의 상부면 및 하부면과 평탄면을 형성하며,상기 확산판은 상기 측면 발광다이오드칩의 측면으로 방출되어 상기 도광판을 지나 입사되는 빛과 상기 광출사구로 출사되어 직접 입사되는 빛을 내부에서 산란 또는 확산되도록 하여 균일하게 빛을 방사하는 면광원
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청구항 1에 있어서,상기 하부판은 입사하는 빛을 상부로 반사하는 반사면을 포함하는 면광원
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청구항 1에 있어서,상기 하부판은 투광성 재료로 형성되는 면광원
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청구항 1에 있어서,상기 도광판은 상기 측면 발광다이오드칩과 두께가 같거나 두꺼운 면광원
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청구항 1에 있어서,상기 제1 반사층은 상기 반도체 적층구조물이 형성되는 기판의 일면에 형성되고,상기 제2 반사층은 상기 반도체 적층구조물 상에 형성되는 면광원
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청구항 8에 있어서,상기 기판의 상부면 또는 하부면 중에서 적어도 어느 하나의 면 측에는 광추출 구조를 포함하는 면광원
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청구항 1에 있어서,상기 면광원은 유연성을 갖는 면광원
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청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 5, 청구항 8 내지 청구항 9, 및 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,상기 면광원은 조명 장치 또는 백라이트 유닛(BLU)인 면광원
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하부판에 전기적 배선을 형성하는 단계;상기 전기적 배선에 복수의 측면 발광다이오드칩을 접속하는 단계; 및도광판에 상하가 개방된 오픈부 형상으로 서로 이격되어 형성된 복수의 수용부가 상기 복수의 측면 발광다이오드칩에 대응되도록 상기 도광판을 상기 하부판 상에 적층하는 단계; 및상기 복수의 측면 발광다이오드칩으로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 상기 도광판 상에 적층하는 단계를 포함하고,상기 복수의 측면 발광다이오드칩은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 각각 형성된 제1 반사층; 및 제 2 반사층;을 포함하며,상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛은 상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층에서 반사되어 상기 측면 발광다이오드칩의 측면을 통하여 방출되고,상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층에 상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 도광판의 상부면 및 하부면과 평탄면을 형성하도록 형광체가 포함된 투명 수지를 상기 복수의 수용부 중 상기 복수의 측면 발광다이오드칩이 수용되고 남는 여유 공간에 완전히 채우는 단계를 더 포함하고,상기 확산판은 상기 측면 발광다이오드칩의 측면으로 방출되어 상기 도광판을 지나 입사되는 빛과 상기 광출사구로 출사되어 직접 입사되는 빛을 내부에서 산란 또는 확산되도록 하여 균일하게 빛을 방사하는 면광원 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 전기적 배선을 형성하는 단계는 전도성 물질을 상기 하부판 상에 인쇄하여 형성하는 것인 면광원 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 복수의 측면 발광다이오드칩을 접속하는 단계는 상기 복수의 측면 발광다이오드칩을 플립칩 본딩하여 상기 전기적 배선에 접속하는 것인 면광원 제조방법
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