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양자점 기반 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001418
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 기반 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본 발명에 따른 양자점 기반 태양전지는 투명 전도성 전극; 상기 투명 전도성 전극 상부에 형성된 유기 정공전달층; 상기 유기 정공전달층 상부에 형성되며 무기 반도체 양자점을 포함하는 양자점층; 상기 양자점층 상부에 형성되며 금속산화물 양자점을 포함하는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 형성된 대향전극;을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0312 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020120154586 (2012.12.27)
출원인 에스케이이노베이션 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2012228-0000 (2019.08.13)
공개번호/일자 10-2014-0091623 (2014.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20190821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.26)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진영 대한민국 울산광역시 울주군
2 박종남 대한민국 울산광역시 울주군
3 김기환 대한민국 울산광역시 울주군
4 워커 브라이트 재임스 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
2 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1083371-22
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0003524-62
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0028320-92
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0781851-20
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1288045-33
9 보정요구서
Request for Amendment		 2018.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0005195-63
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2018.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0023551-43
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0771114-40
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0027305-56
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0141001-23
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0140972-52
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0229643-02
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0433538-44
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0433512-68
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0344036-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도성 전극; 상기 투명 전도성 전극 상부에 형성된 유기 정공전달층; 상기 유기 정공전달층 상부에 형성되며 무기 반도체 양자점을 포함하는 양자점층; 상기 양자점층 상부에 형성되며 금속산화물 양자점을 포함하는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 형성된 대향전극;을 포함하되,상기 전자전달층의 두께와 상기 양자점층의 두께는 하기 관계식 2를 만족하며,상기 무기 반도체 양자점과 상기 금속 산화물 양자점의 평균 결정립 크기는 하기 관계식 3을 만족하고,상기 양자점층의 두께는 100nm 내지 220nm인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 무기 반도체 양자점의 평균 결정립 크기는 2 내지 5nm 인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
7 7
제 1항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 리지드 또는 플렉시블 투명 기판의 적어도 일 표면에 ITO(Indium-Tin Oxide) 층이 형성된 전극이며, 상기 대향 전극은 Al 전극인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
8 8
제 1항에 있어서,상기 무기 반도체 양자점은 PbS 양자점인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
9 9
제 8항에 있어서,상기 금속산화물 양자점은 ZnO 양자점인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
10 10
제 9항에 있어서,상기 유기 정공전달층의 유기 정공전달물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate))인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지
11 11
a) 투명 전도성 전극 상부에 유기 정공전달층을 형성하는 단계;b) 상기 유기 정공전달층 상부에 무기 반도체 양자점을 포함하는 양자점층을 형성하는 단계;c) 상기 양자점층 상부에 금속산화물 양자점을 포함하는 전자전달층을 형성하는 단계;d) 상기 전자전달층 상부에 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 전자전달층의 두께와 상기 양자점층의 두께는 하기 관계식 2를 만족하며,상기 무기 반도체 양자점과 상기 금속 산화물 양자점의 평균 결정립 크기는 하기 관계식 3을 만족하고,상기 양자점층의 두께는 100nm 내지 220nm인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 c) 단계는 유기 금속화합물 용액을 도포하고 산소의 존재 하에 100 내지 120℃의 저온 열처리를 수행하는 단계;를 포함하는 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 유기 금속화합물은 디에틸징크인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
14 14
제 11항에 있어서,상기 b) 단계는 무기 반도체 양자점 분산액을 도포하는 단계;를 포함하는 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
15 15
제 13항에 있어서,상기 무기 반도체 양자점은 PbS 양자점인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
16 16
제 11항에 있어서,상기 b) 단계는 무기 반도체 양자점 분산액을 도포하는 단계;를 일 단위 공정으로 하고, 상기 c) 단계는 유기 금속화합물 용액을 도포하고 산소의 존재 하에 100 내지 120℃의 저온 열처리를 수행하는 단계;를 다른 일 단위 공정으로 하여,상기 b) 단계의 단위 공정을 반복 수행하고, 상기 c) 단계의 단위 공정을 반복하여 수행하는 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
17 17
제 15항에 있어서,상기 a) 단계는 PEDOT:PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate))를 함유하는 유기 정공전달 용액을 도포 및 건조하는 단계;를 포함하는 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
18 18
제 17항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 리지드 또는 플렉시블 투명 기판의 적어도 일 표면에 ITO(Indium-Tin Oxide) 층이 형성된 전극이며, 상기 대향 전극은 Al 전극인 양자점 기반 광양극 구조의 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.