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홀을 가지는 다공성 박막 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015001608
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 홀을 가지는 다공성 박막으로서, 상기 홀은 상기 박막의 상부 및/또는 하부에 형성되어 있으며 상기 홀은 상기 박막의 기공과 연결되어 있는 것인 홀을 가지는 다공성 박막, 및 입자의 정렬층을 주형으로서 이용하는 것을 포함하는 상기 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL B01D 71/04 (2006.01) B29C 67/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100080868 (2010.08.20)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1420232-0000 (2014.07.10)
공개번호/일자 10-2012-0017917 (2012.02.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.19)
심사청구항수 39

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경병 대한민국 서울특별시 종로구
2 김현성 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 홍면표 대한민국 서울특별시 마포구
4 하나비 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0538102-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0875255-41
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0162149-24
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0213551-51
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0211999-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0491432-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0491433-14
9 등록결정서
Decision to grant
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0376904-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기재(substrate) 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계; 상기 입자의 정렬층이 형성된 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자의 정렬층을 제 1 박막 형성 물질로 코팅하여 입자-제 1 박막 복합체를 형성하는 단계; 및상기 입자-제 1 박막 복합체 중 상기 코팅된 제 1 박막의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 입자를 제거하는 단계는,상기 제 1 박막의 일부를 에칭(etching)하여 복수의 홀을 형성함으로써 상기 홀을 통하여 상기 입자 각각의 일부를 노출시키고;상기 홀을 통하여 상기 노출된 입자를 제거하는 것: 을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 홀은 2 차원적으로 규칙적으로 배열되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 입자의 크기는 10 nm 내지 100 ㎛ 인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 입자의 정렬층은 상기 입자의 단일층(monolayer) 또는 복수층(multilayer)을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재는 그의 표면에 형성된 제 1 음각 또는 제 1 양각의 패턴을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 물리적 압력은 문지르기(rubbing) 또는 누르기(pressing against substrate)에 의해 가해지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 문지르기(rubbing)는, 제 1 부재를 사용하여 상기 제 1 기재 상에 놓여진 상기 입자에 물리적 압력을 가한 상태에서 상기 제 1 기재와 평행한 방향으로 왕복운동을 적어도 1회 이상 수행하는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 문지르기를 수행한 후 점착성을 포함하는 제 2 부재를 이용하여 상기 정렬층을 형성한 입자를 제외한 나머지 입자를 제거하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
11 11
제 6 항에 있어서,상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극의 형상은 상기 입자의 배향을 조절하기 위해 상기 공극 내에 삽입되는 상기 입자의 소정 부분의 형상과 대응되는 형상을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
12 12
제 6 항에 있어서,상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극은 나노우물(nanowell), 나노점(nanodot), 나노막대(nanorod), 나노기둥(nanocolumn), 나노도랑(nanotrench) 또는 나노원뿔(nanocone)의 형태를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
13 13
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극은 두 가지 이상의 상이한 크기 또는 형상을 가지거나, 또는 상이한 크기 및 형상을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재와 상기 제 2 기재를 접촉시키기 전에, 상기 제 2 기재의 표면에 점착층을 형성하는 것을 추가로 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재(substrate) 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계 전에, 상기 제 1 기재 상에 점착층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 정렬된 상기 입자는 인접한 입자와 접촉 또는 이격되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
17 17
제 1 항에 있어서, 상기 형성된 홀을 가지는 다공성 박막을 상기 제 2 기재로부터 분리하는 것을 추가로 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 기재 상에서 분리된 상기 홀을 가지는 다공성 박막을, 상기 홀 보다 더 큰 홀(hole)을 가지는 지지 기판으로 전사하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 박막 상에 한 개 이상의 추가 박막을 형성하는 것을 더 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
20 20
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 또는 상기 제 2 기재는 유리, 용융 실리카(fused silica) 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼 또는 포토레지스트를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 입자는 유기 고분자, 무기 고분자, 무기물, 금속, 자성체, 반도체, 생체물질 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
22 22
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 점착층은 (i) -NH2 기를 갖는 화합물, (ⅱ) -SH 기를 갖는 화합물 (ⅲ) -OH 기를 갖는 화합물, (ⅳ) 고분자전해질, (ⅴ) 폴리스티렌, (ⅴi) 포토레지스트 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
23 23
제 1 항에 있어서, 상기 입자는 다공성 또는 비다공성을 가진 입자를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
24 24
제 1 항에 있어서, 상기 입자는 대칭성 또는 비대칭성 모양을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
25 25
제 1 항에 있어서, 상기 박막은 유기 박막, 무기 박막 또는 유기-무기 하이브리드 박막을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
26 26
제 1 항에 있어서, 상기 단계들을 반복하여 홀을 가지는 다공성 박막 복수 개를 형성한 후 상기 박막들을 적층하여 홀을 가지는 다공성 다층 박막을 형성하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
27 27
제 26 항에 있어서, 상기 다공성 다층 박막의 각 박막이 가지는 홀의 크기 및 상기 홀의 배열 방식은 동일하거나 서로 상이한 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법
28 28
제 1 음각 또는 제 1 양각이 표면에 형성된 제 1 기재를 준비하는 단계; 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 단계;상기 입자들의 정렬층이 형성된 상기 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자들의 정렬층을 고분자로 코팅하여 입자-고분자 복합체 박막을 형성하는 단계; 및상기 입자-고분자 복합체 박막 중 상기 코팅된 고분자의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 박막의 제조 방법
29 29
제 1 음각 또는 제 1 양각이 표면에 형성된 제 1 기재를 준비하는 단계; 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 단계;표면에 점착층이 형성되어 있는 제 2 기재를 준비하는 단계;상기 입자들의 정렬층이 형성된 상기 제 1 기재와, 상기 제 2 기재의 점착층과 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자들의 정렬층을 고분자로 코팅하여 입자-고분자 복합체 박막을 형성하는 단계;상기 제 2 기재 상에 형성된 상기 점착층을 제거하여 상기 입자-고분자 복합체 박막을 분리함으로써 상기 입자-고분자 복합체 박막의 하부에 상기 입자의 일부가 노출되도록 하는 홀을 형성한 후 상기 홀이 제 3 기재 표면에 접하도록 상기 입자-고분자 복합체 박막을 제 3 기재 상으로 전사하는 단계; 및상기 입자-고분자 복합체 박막의 상부의 코팅된 고분자의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 박막의 제조 방법
30 30
홀을 가지는 다공성 박막으로서,상기 홀은 상기 박막의 상부 또는 하부에 형성되어 있거나, 또는 상부 및 하부에 형성되어 있으며, 상기 홀은 상기 박막 내부의 기공과 연결되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
31 31
제 30 항에 있어서,상기 홀은 상기 박막의 기공을 관통하도록 형성되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
32 32
제 30 항에 있어서,상기 홀은 2차원적으로 규칙적으로 배열되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
33 33
제 30 항에 있어서,상기 박막은 유기 박막, 무기 박막 또는 유기-무기 하이브리드 박막을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
34 34
제 30 항에 있어서,상기 홀의 크기는 상기 박막의 기공의 크기보다 작은 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
35 35
제 30 항에 있어서,상기 박막의 기공의 크기는 10 nm 내지 100 ㎛ 인, 홀을 가지는 다공성 박막
36 36
제 30 항에 있어서,상기 홀을 가지는 다공성 박막은 형상 또는 크기가 서로 상이하거나, 또는 형상 및 크기가 서로 상이한 2종류 이상의 기공을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
37 37
제 30 항에 있어서, 상기 박막은 상기 홀을 가지는 다공성 박막 2 개 이상이 서로 적층되어 있는 홀을 가지는 다공성 다층 박막을 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막
38 38
제 37 항에 있어서, 상기 홀을 가지는 다공성 다층 박막에 있어서, 각 층을 구성하는 홀들은 서로 관통되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
39 39
제 37 항에 있어서,상기 홀을 가지는 다공성 다층 박막의 각 박막이 가지는 홀의 모양 또는 크기는 각각 서로 동일하거나 상이한 것인, 홀을 가지는 다공성 박막
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5 US20130149492 US 미국 FAMILY
6 US20140242331 US 미국 FAMILY
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8 WO2012023724 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN103079989 CN 중국 DOCDBFAMILY
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4 JP5950310 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2013149492 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2014242331 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8753526 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2012023724 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
9 WO2012023724 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 기후변화대응기술개발산업-기초원천기술개발산업 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학확보 및 원천기술 개발
2 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 도약연구지원사업 마이크로 결정의 조직화 및 응용