요약 | 본원은, 홀을 가지는 다공성 박막으로서, 상기 홀은 상기 박막의 상부 및/또는 하부에 형성되어 있으며 상기 홀은 상기 박막의 기공과 연결되어 있는 것인 홀을 가지는 다공성 박막, 및 입자의 정렬층을 주형으로서 이용하는 것을 포함하는 상기 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | B01D 71/04 (2006.01) B29C 67/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020100080868 (2010.08.20) |
출원인 | 서강대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1420232-0000 (2014.07.10) |
공개번호/일자 | 10-2012-0017917 (2012.02.29) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20140721) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.02.19) |
심사청구항수 | 39 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서강대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 윤경병 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
2 | 김현성 | 대한민국 | 경기도 안양시 만안구 |
3 | 홍면표 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
4 | 하나비 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서강대학교산학협력단 | 서울특별시 마포구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0538102-15 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0875255-41 |
3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.02.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0089013-74 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0162149-24 |
5 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0213551-51 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0211999-91 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0491432-79 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.05.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0491433-14 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.05.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0376904-44 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제 1 기재(substrate) 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계; 상기 입자의 정렬층이 형성된 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자의 정렬층을 제 1 박막 형성 물질로 코팅하여 입자-제 1 박막 복합체를 형성하는 단계; 및상기 입자-제 1 박막 복합체 중 상기 코팅된 제 1 박막의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 입자를 제거하는 단계는,상기 제 1 박막의 일부를 에칭(etching)하여 복수의 홀을 형성함으로써 상기 홀을 통하여 상기 입자 각각의 일부를 노출시키고;상기 홀을 통하여 상기 노출된 입자를 제거하는 것: 을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 홀은 2 차원적으로 규칙적으로 배열되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 입자의 크기는 10 nm 내지 100 ㎛ 인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 입자의 정렬층은 상기 입자의 단일층(monolayer) 또는 복수층(multilayer)을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재는 그의 표면에 형성된 제 1 음각 또는 제 1 양각의 패턴을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 물리적 압력은 문지르기(rubbing) 또는 누르기(pressing against substrate)에 의해 가해지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 문지르기(rubbing)는, 제 1 부재를 사용하여 상기 제 1 기재 상에 놓여진 상기 입자에 물리적 압력을 가한 상태에서 상기 제 1 기재와 평행한 방향으로 왕복운동을 적어도 1회 이상 수행하는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 문지르기를 수행한 후 점착성을 포함하는 제 2 부재를 이용하여 상기 정렬층을 형성한 입자를 제외한 나머지 입자를 제거하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
11 |
11 제 6 항에 있어서,상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극의 형상은 상기 입자의 배향을 조절하기 위해 상기 공극 내에 삽입되는 상기 입자의 소정 부분의 형상과 대응되는 형상을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
12 |
12 제 6 항에 있어서,상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극은 나노우물(nanowell), 나노점(nanodot), 나노막대(nanorod), 나노기둥(nanocolumn), 나노도랑(nanotrench) 또는 나노원뿔(nanocone)의 형태를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
13 |
13 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 형성된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극은 두 가지 이상의 상이한 크기 또는 형상을 가지거나, 또는 상이한 크기 및 형상을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
14 |
14 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재와 상기 제 2 기재를 접촉시키기 전에, 상기 제 2 기재의 표면에 점착층을 형성하는 것을 추가로 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재(substrate) 상에 입자의 정렬층을 형성하는 단계 전에, 상기 제 1 기재 상에 점착층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
16 |
16 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 정렬된 상기 입자는 인접한 입자와 접촉 또는 이격되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
17 |
17 제 1 항에 있어서, 상기 형성된 홀을 가지는 다공성 박막을 상기 제 2 기재로부터 분리하는 것을 추가로 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 제 2 기재 상에서 분리된 상기 홀을 가지는 다공성 박막을, 상기 홀 보다 더 큰 홀(hole)을 가지는 지지 기판으로 전사하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
19 |
19 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 박막 상에 한 개 이상의 추가 박막을 형성하는 것을 더 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
20 |
20 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 또는 상기 제 2 기재는 유리, 용융 실리카(fused silica) 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼 또는 포토레지스트를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
21 |
21 제 1 항에 있어서, 상기 입자는 유기 고분자, 무기 고분자, 무기물, 금속, 자성체, 반도체, 생체물질 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
22 |
22 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 점착층은 (i) -NH2 기를 갖는 화합물, (ⅱ) -SH 기를 갖는 화합물 (ⅲ) -OH 기를 갖는 화합물, (ⅳ) 고분자전해질, (ⅴ) 폴리스티렌, (ⅴi) 포토레지스트 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
23 |
23 제 1 항에 있어서, 상기 입자는 다공성 또는 비다공성을 가진 입자를 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
24 |
24 제 1 항에 있어서, 상기 입자는 대칭성 또는 비대칭성 모양을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
25 |
25 제 1 항에 있어서, 상기 박막은 유기 박막, 무기 박막 또는 유기-무기 하이브리드 박막을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
26 |
26 제 1 항에 있어서, 상기 단계들을 반복하여 홀을 가지는 다공성 박막 복수 개를 형성한 후 상기 박막들을 적층하여 홀을 가지는 다공성 다층 박막을 형성하는 것을 추가 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
27 |
27 제 26 항에 있어서, 상기 다공성 다층 박막의 각 박막이 가지는 홀의 크기 및 상기 홀의 배열 방식은 동일하거나 서로 상이한 것인, 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법 |
28 |
28 제 1 음각 또는 제 1 양각이 표면에 형성된 제 1 기재를 준비하는 단계; 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 단계;상기 입자들의 정렬층이 형성된 상기 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자들의 정렬층을 고분자로 코팅하여 입자-고분자 복합체 박막을 형성하는 단계; 및상기 입자-고분자 복합체 박막 중 상기 코팅된 고분자의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 박막의 제조 방법 |
29 |
29 제 1 음각 또는 제 1 양각이 표면에 형성된 제 1 기재를 준비하는 단계; 상기 제 1 기재 상에 복수의 입자를 올린 후 물리적 압력에 의하여 상기 입자들의 일부 또는 전부를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 상기 제 1 기재 상에 상기 입자의 정렬층을 형성하는 단계;표면에 점착층이 형성되어 있는 제 2 기재를 준비하는 단계;상기 입자들의 정렬층이 형성된 상기 제 1 기재와, 상기 제 2 기재의 점착층과 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 상기 입자들의 정렬층을 고분자로 코팅하여 입자-고분자 복합체 박막을 형성하는 단계;상기 제 2 기재 상에 형성된 상기 점착층을 제거하여 상기 입자-고분자 복합체 박막을 분리함으로써 상기 입자-고분자 복합체 박막의 하부에 상기 입자의 일부가 노출되도록 하는 홀을 형성한 후 상기 홀이 제 3 기재 표면에 접하도록 상기 입자-고분자 복합체 박막을 제 3 기재 상으로 전사하는 단계; 및상기 입자-고분자 복합체 박막의 상부의 코팅된 고분자의 일부를 제거하여 복수의 홀(hole)을 형성한 후 상기 홀을 통하여 상기 입자를 제거하는 단계:를 포함하는, 홀(hole)을 가지는 박막의 제조 방법 |
30 |
30 홀을 가지는 다공성 박막으로서,상기 홀은 상기 박막의 상부 또는 하부에 형성되어 있거나, 또는 상부 및 하부에 형성되어 있으며, 상기 홀은 상기 박막 내부의 기공과 연결되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
31 |
31 제 30 항에 있어서,상기 홀은 상기 박막의 기공을 관통하도록 형성되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
32 |
32 제 30 항에 있어서,상기 홀은 2차원적으로 규칙적으로 배열되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
33 |
33 제 30 항에 있어서,상기 박막은 유기 박막, 무기 박막 또는 유기-무기 하이브리드 박막을 포함하는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
34 |
34 제 30 항에 있어서,상기 홀의 크기는 상기 박막의 기공의 크기보다 작은 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
35 |
35 제 30 항에 있어서,상기 박막의 기공의 크기는 10 nm 내지 100 ㎛ 인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
36 |
36 제 30 항에 있어서,상기 홀을 가지는 다공성 박막은 형상 또는 크기가 서로 상이하거나, 또는 형상 및 크기가 서로 상이한 2종류 이상의 기공을 가지는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
37 |
37 제 30 항에 있어서, 상기 박막은 상기 홀을 가지는 다공성 박막 2 개 이상이 서로 적층되어 있는 홀을 가지는 다공성 다층 박막을 포함하는, 홀을 가지는 다공성 박막 |
38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 홀을 가지는 다공성 다층 박막에 있어서, 각 층을 구성하는 홀들은 서로 관통되어 있는 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
39 |
39 제 37 항에 있어서,상기 홀을 가지는 다공성 다층 박막의 각 박막이 가지는 홀의 모양 또는 크기는 각각 서로 동일하거나 상이한 것인, 홀을 가지는 다공성 박막 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103079989 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | JP05950310 | JP | 일본 | FAMILY |
3 | JP25540569 | JP | 일본 | FAMILY |
4 | US08753526 | US | 미국 | FAMILY |
5 | US20130149492 | US | 미국 | FAMILY |
6 | US20140242331 | US | 미국 | FAMILY |
7 | WO2012023724 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
8 | WO2012023724 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103079989 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN103079989 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | JP2013540569 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
4 | JP5950310 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
5 | US2013149492 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
6 | US2014242331 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
7 | US8753526 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
8 | WO2012023724 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
9 | WO2012023724 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 서강대학교산학협력단 | 기후변화대응기술개발산업-기초원천기술개발산업 | 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학확보 및 원천기술 개발 |
2 | 교육과학기술부 | 서강대학교산학협력단 | 도약연구지원사업 | 마이크로 결정의 조직화 및 응용 |
특허 등록번호 | 10-1420232-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100820 출원 번호 : 1020100080868 공고 연월일 : 20140721 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140530 청구범위의 항수 : 39 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 홀을 가지는 다공성 박막 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190711 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 783,000 원 | 2014년 07월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 647,450 원 | 2017년 07월 19일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0538102-15 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0875255-41 |
3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.02.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0089013-74 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0162149-24 |
5 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0213551-51 |
6 | 의견제출통지서 | 2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0211999-91 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0491432-79 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.05.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0491433-14 |
9 | 등록결정서 | 2014.05.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0376904-44 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
기술번호 | KST2015001608 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 서강대학교 |
기술명 | 홀을 가지는 다공성 박막 및 그의 제조 방법 |
기술개요 |
본원은, 홀을 가지는 다공성 박막으로서, 상기 홀은 상기 박막의 상부 및/또는 하부에 형성되어 있으며 상기 홀은 상기 박막의 기공과 연결되어 있는 것인 홀을 가지는 다공성 박막, 및 입자의 정렬층을 주형으로서 이용하는 것을 포함하는 상기 홀을 가지는 다공성 박막의 제조 방법에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 다공성 박막제조 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345124938 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0054921 |
연구과제명 | 마이크로 결정의 조직화 및 응용 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200705~201202 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345128030 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093886 |
연구과제명 | 나노 입자 조직화, 고성능 분자 분리막 개발 및 디바이스 제작 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200909~201909 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1350021132 |
---|---|
세부과제번호 | R16-1998-005-01001-0 |
연구과제명 | 분자끈을이용한미세입자의접합및조직화연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 서강대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 199810~200705 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020100087935] | 기재상에 3개의 결정축 배향이 모두 정렬된 종자 결정들을 2차 성장시켜 형성된 막 (FILM FORMED BY INDUCING SECONDARY GROWTH FROM SURFACE OF SEED CRYSTALS OFWHICH THREE CRYSTALLIINE AXES ARE ORIENTED ON SUBSTRATE) | 새창보기 |
---|---|---|
[1020100080868] | 홀을 가지는 다공성 박막 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100078943] | 마그네트론 스퍼터링 증착 장치 및 마그네트론 스퍼터링 증착 시스템 (MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION APPARATUS AND MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM) | 새창보기 |
[1020100049040] | 이산화티타늄 입자의 신규 제조방법 및 이에 의한 이산화티타늄 입자 (NOVEL METHOD FOR PREPARING TITANIUM DIOXIDE PARTICLES AND TITANIUM DIOXIDE PARTICLES BY THE SAME) | 새창보기 |
[1020100031999] | 바나도실리케이트 분자체의 신규 제조 방법 및 신규 바나도실리케이트 분자체 (NOVEL METHOD OF PREPARING VANADOSILICATE MOLECULAR SIEVES AND NOVEL VANADOSILICATE MOLECULAR SIEVES) | 새창보기 |
[1020090117179] | 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법 | 새창보기 |
[1020080102120] | 티타네이트 나노쉬트의 제조방법(Methods for Preparing Titanate Nanosheets) | 새창보기 |
[1020080046867] | 다양한 두께를 갖는 모든 b-축이 기질에 대해서 수직으로배향된 MFI형 제올라이트 박막 및 그의 제조방법(Uniformly b-Oriented MFI Zeolite Films with Variable Thicknesses Supported on Substrates and the Preparation Method Thereof) | 새창보기 |
[1020080027278] | 고품질 티타늄―실리콘 함유 분자체의 신속한 제조방법(Methods for Rapid Synthesis of High―Quality Titanosilicate Molecular Sieve) | 새창보기 |
[1020070001317] | 기질-분자체 복합체의 제조방법(Methods for Preparing Composites of Substrate-Molecular Sieve) | 새창보기 |
[1020050058756] | 형광물질을 내포한 제올라이트를 포함하는 표지 및 이의용도 | 새창보기 |
[1020050054643] | 초음파를 이용하는 기질-분자체막 복합체의 제조방법 및이에 사용되는 제조장치 | 새창보기 |
[1020040116571] | 평평하고 결정길이가 긴 제올라이트 결정의 제조방법 | 새창보기 |
[1020040086048] | 섬유기질-제올라이트 복합체의 제조방법 | 새창보기 |
[1020040044426] | 나노호스트 내부에 광전류 유발소자를 내포시킨나노호스트-광전류 유발소자 복합체를 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
[1020030091229] | 제올라이트에 쌍극자형 비선형광학 분자를 일정한배향으로 정렬하여 내포시킨 복합체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020010008926] | 기질(셀룰로오스, 면, 아마, 대마 등과 같은 섬유)에제올라이트 분자체 또는 이의 유사체를 결합시킨 복합체및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014034543][서강대학교] | 입자 및 그 제조방법 (PARTICLE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME) | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015187941][서강대학교] | 액상과 액상 계면에서 덴드리머 형태의 금속 나노 구조체를 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 덴드리머 형태의 금속 나노 구조체 | 새창보기 |
[KST2014034255][서강대학교] | 리튬알루미네이트계 적색 나노형광체 및 그의 제조 방법 (LITHIUM ALUMINATE BASED RED NANOPHOSPHOR AND PREPARING METHOD OF THE SAME) | 새창보기 |
[KST2014046490][서강대학교] | 구형의 다공성 구조체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014052464][서강대학교] | 바이오 검출칩 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015218472][서강대학교] | 나노 바이오어레이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2022020954][서강대학교] | 이산화탄소에 대해 고 투과성 및 고 선택성인 고분자 블렌드 분리막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2022020648][서강대학교] | 하이브리드 가교 고분자 분리막 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014046494][서강대학교] | 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법 | 새창보기 |
[KST2014046428][서강대학교] | 미세채널의 폴리머 멤브레인 형성방법 및 그 방법에 의해 제작된 미세 채널 장치 | 새창보기 |
[KST2017000051][서강대학교] | 금속 코아 간 초미세 보이드를 가지는 나노 갭 구조체 및 이를 이용한 분자 검출 장치 및 방법, 선택적 에칭을 통한 상기 나노 갭 구조체의 제조 방법(Nanogap structure having ultrasmall void between metal cores and molecular sensing apparatus and method using the same, and method for preparing the nanogap structure by selective etching) | 새창보기 |
[KST2014034378][서강대학교] | 나노-바이오플랫폼의 제조방법(Methods for Preparing Nano-Bioplatforms) | 새창보기 |
[KST2014052543][서강대학교] | 건식 입자 혼합을 통한 탄소나노튜브 요오드 전도성 고형제의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2019003960][서강대학교] | 모세관을 이용한 나노입자 단일층의 전이 방법 및 장치 | 새창보기 |
[KST2014034547][서강대학교] | 정렬된 미립자가 인쇄된 인쇄물을 제조하는 방법 (METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED PRODUCT BY ALIGNING AND PRINTING FINE PARTICLES) | 새창보기 |
[KST2014052544][서강대학교] | 전자빔을 이용한 그라핀 시트 제조방법 | 새창보기 |
[KST2018000908][서강대학교] | 나노 입자층 형성장치 및 나노 입자층 형성방법(Nano Particle Layer Forming Device And Nano Particle Layer Forming Method Using The Same) | 새창보기 |
[KST2015013203][서강대학교] | 다공성 탄소 구조체, 이의 제조방법, 상기 다공성 탄소 구조체를 포함하는 탄소 음극 활물질, 이를 이용한 리튬 이온 배터리, 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014034249][서강대학교] | 기재상에 3개의 결정축 배향이 모두 정렬된 종자 결정들을 2차 성장시켜 형성된 막 (FILM FORMED BY INDUCING SECONDARY GROWTH FROM SURFACE OF SEED CRYSTALS OFWHICH THREE CRYSTALLIINE AXES ARE ORIENTED ON SUBSTRATE) | 새창보기 |
[KST2014046491][서강대학교] | 구형의 다공성 탄소구조체 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2017015266][서강대학교] | 나노입자의 하프-코팅 방법(Method for Half-Coating Nanoparticles) | 새창보기 |
[KST2014055449][서강대학교] | 미세채널 내의 이온선택성 멤브레인 형성방법 및 미세채널 장치 | 새창보기 |
[KST2020014085][서강대학교] | 플라즈모닉 역오팔 구조체, 플라즈모닉 역오팔 구조체 제조 방법, 이를 활용한 표면증강라만분광 기반 분자 검출 장치 및 방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|