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나노와이어 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015001634
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 기판 전체면에 대하여 나노와이어를 균일하게 생성하여 생산성을 향상시키는 나노와이어 소자 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 면적 전체에 나노와이어를 생성하는 나노와이어 소자 제조 방법에 있어서, 나노와이어 생성을 위한 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 준비된 상기 기판을 폴리라이신 용액에 일정시간 침액시키는 기판 표면 처리 단계; 상기 기판 전면적에 균일하게 As 원자를 코팅하는 기판 코팅 단계; 및 상기 코팅된 기판에 InAsP 나노와이어 배열을 생성하는 나노와이어 생성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B81B 7/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130091107 (2013.07.31)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1431818-0000 (2014.08.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경진 대한민국 충북 청원군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0697044-08
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0297502-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
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번호 청구항
1 1
기판 면적 전체에 나노와이어를 생성하는 나노와이어 소자 제조 방법에 있어서,나노와이어 생성을 위한 기판을 준비하는 기판 준비 단계;준비된 상기 기판을 폴리라이신 용액에 일정시간 침액시키는 기판 표면 처리 단계;상기 기판 전면적에 균일하게 As 원자를 코팅하는 기판 코팅 단계; 및상기 코팅된 기판에 InAsP 나노와이어 배열을 생성하는 나노와이어 생성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리 위에 실리콘을 코팅한 기판, 인듐석 산화물, 흑연, 황화 몰리브덴, 구리, 아연 및 알루미늄 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 기판 표면 처리 단계에서 상기 기판은 상기 폴리라이신 용액에 1분 내지 10분 침액되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 기판 코팅 단계에서 As코팅은 유기금속화학증착법으로 AsH3 전구체를 기판에 흘려 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 나노와이어 생성 단계에서 나노와이어는 유기금속화학증착법으로 In, As 및 P원자 전구체를 동시에 흘려 생성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 In, As 및 P원자 전구체는 비율을 달리 공급하여 나노와이어의 In, As와 P의 조성비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 나노와이어 생성 단계 이후 나노와이어 표면에 InP 성분의 패시베이션 층을 형성하여 광소자로 응용 시, 광여기된 전자-전공이 InAsP 나노선 표면에 존재하는 고농도의 표면결함에 비발광적으로 재결합하는 메커니즘을 억제하는 패시베이션 층 생성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 패시베이션 층 생성 단계 이후에 상기 나노와이어 끝단에 전기적 연결을 위하여 TCO 층을 추가로 형성하는 TCO 층 생성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 기판은 p-형 실리콘 재질이고 상기 나노와이어는 n형 InAs0
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1 WO2015016541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2015016541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 나노·소재기술개발 III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 광전변환효율 10급 태양전지 개발