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질화물계 발광다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001637
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물계 발광다이오드 제조방법은, 질화물계 반도체 층의 TCO층 표면에 IZO층을 증착하는 단계; 질화물계 반도체 층의 상부에 산화아연을 나노물을 형성하기 위하여 표면처리하는 단계; 및 표면처리된 반도체 층의 표면에 산화아연으로 이루어진 나노물질을 형성하는 단계를 포함하여, Seed 층 없이 높은 밀도의 ZnO 나노구조를 성장할 수 있는 효과가 있고, 또한 90도 이하의 낮은 온도에서 ZnO 나노구조를 성장하므로 LED 열 충격 없이 성장이 가능하여 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/38 (2010.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020130006823 (2013.01.22)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1434318-0000 (2014.08.20)
공개번호/일자 10-2014-0094740 (2014.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20140829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백정민 대한민국 울산 울주군
2 기형선 대한민국 울산 울주군
3 예병욱 대한민국 대구광역시 서구
4 원유재 대한민국 부산광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0060550-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-2013-0108082-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0909488-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0202250-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0202247-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345284-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 질화물계 반도체 층에 TCO층을 형성하기 위하여, p-GaN 층 표면에 IZO층을 증착하는 단계;(b) 상기 IZO층 표면을 표면처리하는 단계; 및(c) 표면 처리된 상기 IZO층의 표면에 산화아연(ZnO)으로 이루어진 나노물질을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 `(a)`단계에서상기 IZO층의 증착 시, 복수의 증착 타겟 재료가 섞이는 성분 비율이 필름의 두께 방향으로 점진적으로 변하게 하는 PLD (Pulsed Laser Deposition)공법을 사용하되, 타겟 재료들로 ITO와 ZnO를 이용함으로써 아연조성비가 제어되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 `(a)`단계에서상기 TCO층의 표면으로 갈수록 아연 조성비가 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 `(b)`단계에서상기 표면처리는 UV 또는 오존을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 `(c)`단계에서,상기 표면처리된 반도체를 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법으로 표면에 산화아연으로 이루어진 나노물질을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 산화아연 형성용 수용액은 아연염과 헥사메틸렌테트라아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발