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소수성 나노 그래핀 적층체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001639
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CF3로 작용기화된 중공 형태의 구형체를 포함하는 소수성 나노 그래핀 적층체로서, 상기 구형체의 입경이 0.2 내지 1.0 ㎛이고, 상기 나노 그래핀 적층체의 두께가 0.4 내지 10.0 ㎛이며, 접촉각이 130 내지 160˚인 소수성 나노 그래핀 적층체에 관한 것으로, 본 발명에 따른 소수성 나노 그래핀 투명성을 가지면서도, 적당한 표면 조도와 함께 낮은 표면에너지를 가져 높은 수접촉각을 가지므로, 그래핀계 전극과 같은 그래핀 소자로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01)
출원번호/일자 1020130035263 (2013.04.01)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1421064-0000 (2014.07.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지현 대한민국 울산 울주군
2 이정수 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0282159-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0037490-33
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0426212-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CF3로 작용기화된 중공 형태의 구형체를 포함하는 소수성 나노 그래핀 적층체로서,상기 구형체의 입경이 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 소수성 나노 그래핀이 2 내지 10층 적층된 소수성 나노 그래핀 적층체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 구형체의 입경이 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 접촉각이 150 내지 160˚인 소수성 나노 그래핀 적층체
5 5
(1) 실리카 콜로이드의 표면을 아민 작용기화 하여 아민 작용기화 실리카 입자(NH2-SiO2)를 제조하는 단계;(2) 상기 아민 작용기화 실리카 입자(NH2-SiO2)의 표면에 산화 그래핀을 코팅하여 산화 그래핀 코팅 실리카 입자를 제조하는 단계;(3) 기재 위에, 상기 산화 그래핀 코팅 실리카 입자를 자기 조립한 후 환원하여 환원된 산화 그래핀 코팅 실리카 적층체를 제조하는 단계;(4) 상기 환원된 산화 그래핀 코팅 실리카 적층체를 에칭하여 환원된 산화 그래핀 구형체를 제조하는 단계; 및(5) 상기 환원된 산화 그래핀 구형체를 실란 처리하는 단계를 포함하는, 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 단계 (1)의 실리카 콜로이드의 표면의 아민 작용기화가 에탄올에 용해된 3% 아미노-프로필-트리메틸실록산(APTMS)을 이용하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 단계 (2)의 산화 그래핀의 코팅이, 탈이온수에 상기 아민 작용기화 실리카 입자(NH2-SiO2)를 분산시킨 아민 작용기화 실리카 입자(NH2-SiO2)의 분산 용액 및 탈 이온수에 산화 그래핀을 분산시킨 산화 그래핀의 분산 용액을 혼합하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 단계 (3)의 산화 그래핀 코팅 실리카 입자의 자기 조립이 기재 상에 산화 그래핀 코팅 실리카 입자의 분산 용액을 스핀-코팅/드롭-캐스팅하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 단계 (3)의 환원이 H2/Ar 분위기에서 1,000℃로 열처리하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
10 10
제 5 항에 있어서,상기 단계 (3)의 기재가 SiO2로 이루어진 불활성 기재인 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
11 11
제 5 항에 있어서,상기 단계 (4)의 에칭이 HF 용액을 이용하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
12 12
제 5 항에 있어서,상기 단계 (5)의 실란 처리가 트리클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸)실란을 이용하여 수행되는 소수성 나노 그래핀 적층체의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 기본연구지원사업 태양광 기반의 수소생산 효율증대를 위한 광전극 구조의 최적화