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액정 표시 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001681
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 서로 대향하여 위치하는 제1기판과 제2기판, 상기 제1기판과 제2기판의 상호 대향되는 면에 각각 형성된 제1전극과 제2전극, 상기 제1전극과 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극에 대해 전극의 상부, 하부 또는 둘 모두에 위치하는 전기절연성 화합물층, 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 개재되어 위치하는 액정층, 상기 제1전극 및 제2전극과, 액정층 사이에 각각 개재되어 위치하는 제1 및 제2배향안정화층을 포함하며, 상기 제1 및 제2배향안정화층은 상기 제1전극과 제2전극, 또는 전기절연성 화합물층 표면에 존재하는 히드록시기(OH) 또는 NH기와 배향안정화층 형성용 화합물과의 반응에 의해 형성된 화학결합을 포함하는 액정 표시 소자 및 그 제조방법을 제공한다.상기 액정 표시 소자는 액정 배열이 안정화되고, 화소 단위의 선경사각 유도가 가능하며, 소자구동시 나타나는 결함이 최소화되고 반응속도가 증가되어 개선된 광학적, 전기광학적 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 광 안정화 화합물이 표면에 화학결합으로 연결되어 있으므로 소자의 신뢰성을 향상시키고, 고온 소성공정이 없으므로 고품위 액정표시소자나 저온공정이 요구되는 플렉스블 기재 기판을 사용하는 액정표시소자의 제조에도 장점이 있다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01) C08L 79/08 (2006.01) G02F 1/1337 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120069394 (2012.06.27)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1373669-0000 (2014.03.06)
공개번호/일자 10-2014-0001044 (2014.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.27)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강신웅 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 오수연 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 이승희 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 이명훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0514455-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0062624-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676984-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1100580-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1100575-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0151356-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 대향하여 위치하는 제1기판과 제2기판;상기 제1기판과 제2기판의 상호 대향되는 면에 각각 형성된 제1전극과 제2전극;상기 제1전극과 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극에 대해 전극의 상부, 하부, 또는 상부와 하부 둘 모두에 위치하는 전기절연성 화합물층;상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 개재되어 위치하는 액정층;상기 제1전극 및 제2전극과, 액정층 사이에 각각 개재되어 위치하는 제1 및 제2배향안정화층을 포함하며,상기 제1 및 제2배향안정화층이 상기 제1전극과 제2전극, 또는 전기절연성 화합물층 표면에 존재하는 히드록시기(OH) 또는 NH기와 배향안정화층 형성용 화합물과의 반응에 의해 형성된 화학결합을 포함하고,상기 제1 및 제2전극이 금속산화물, 탄소계 전기전도성 물질 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 것인 액정 표시 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 배향안정화층 형성용 화합물이 히드록시기 또는 NH기와 반응하여 화학결합을 형성할 수 있는 작용기 및 광 조사에 의해 광반응을 일으킬 수 있는 광반응성기를 포함하는 것인 액정 표시 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 배향안정화층 형성용 화합물이 하기 화학식 1의 화합물인 것인 액정 표시 소자:[화학식 1] An-X-R상기 화학식 1에서, A는 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 할로겐기, 히드록시기(OH), 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, RaSO3-, RbCOO- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 이때 상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 할로알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,R은 아크릴기, 메타크릴기, 신나메이트기, 쿠마린기, 비닐기, 티올기, 엔기, 디엔기, 티올엔기, 아세틸렌기, 아크릴옥시기, 메타크릴옥시기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 광반응성기로 치환되거나 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 알케닐알킬기, 탄소수 3 내지 20의 알키닐알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, -Rc-Xa-(Rd)m-Xb-Re,-(Rc-Xa)p-((Rd)m-Xb)q-(Rc-Xa)r-Re(이때 Rc는 각각 독립적으로 탄소수 2내지 10의 알킬렌기이고, Rd는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이며, Re는 수소원자 또는 탄소수 2 내지 10의 알킬기이고, Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 단일결합이거나 또는 -O-, -COO-, -CH=CH-, -CH=C(CH3), -CH=N-, -N=N- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 연결기이고, m은 1 내지 6의 정수이고, p는 0 내지 2의 정수이고, q 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며, p,q 및 r이 동시에 0은 아님), 액정성기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,X는 Si, -C=O-, -COO-, -(SO2)-, -O(SO2)-, -O(SO2)O-, -(P=O)O2- 및 -O(P=O)O2-로 이루어진 군에서 선택되고, 그리고n은 1 내지 3의 정수이다
4 4
제1항에 있어서,상기 배향안정화층이 액정성기를 포함하는 화합물, 반응성 메조겐(mesogene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 액정 표시 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 전기절연성 화합물층이 실리콘 산화물 단일막, 실리콘 질화물 단일막 및 이들의 2층 이상의 적층체로 이루어진 군에서 선택되는 것인 액정 표시 소자
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2전극이 인듐주석산화물(indium tin oxide), 산화아연(zinc oxide), 인듐아연산화물(inindi zinc oxide), 산화주석(tin oxide), 산화인듐(indium oxide), 산화알루미늄(Al2O3), 산화은(AgO), 산화티타늄(TiO2), 불소 도핑된 주석 산화물(fluorine-doped tin oxide), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(aluminum doped zinc oxide), 아연인듐주석 산화물(zinc indium tin oxide), 니켈 산화물(nickel oxide), 니켈 아연 주석 산화물(nickel zinc tin oxide), 니켈티타늄 산화물(nickel titanium oxide), 니켈주석 산화물(nickel tin oxide), 그래핀(graphene), 그래핀 산화물(graphene oxide) 및 이들의 혼합물로 이루진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 것인 액정 표시 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극이 패턴화된 것인 액정 표시 소자
9 9
서로 대향하여 위치하는 제1기판과 제2기판;상기 제1기판과 제2기판의 상호 대향되는 면에 각각 형성된 제1전극과 제2전극;상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 개재되어 위치하는 액정층; 상기 제1전극 및 제2전극과, 액정층 사이에 개재되어 위치하는 제1 및 제2배향안정화층을 포함하며, 상기 제1 및 제2배향안정화층이 상기 제1 및 제2전극 표면의 히드록시기와 배향안정화층 형성용 화합물과의 반응에 의해 형성된 화학결합을 포함하고,상기 제1 및 제2전극이 금속산화물, 탄소계 전기전도성 물질 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 것인 액정 표시 소자
10 10
제1기판 및 제2기판에 대해 각각 제1및 제2전극을 형성하는 전극형성단계;상기 전극형성단계의 결과로 제1 및 제2전극이 각각 형성된 제1기판과 제2기판에 대해 배향안정화층 형성용 화합물을 처리하여 제1 및 제2전극의 표면을 개질하는 표면 개질 단계; 상기 표면개질단계의 결과로 표면이 개질된 제1 및 제2전극을 포함하는 제1기판 및 제2기판을 전극들끼리 대면하도록 하여 접합한 후 제1기판과 제2기판 사이의 공간에 액정층 형성용 조성물을 주입하거나, 또는 상기 단계의 결과로 표면이 개질된 제1 및 제2전극을 포함하는 제1기판과 제2기판 중 어느 하나에 대해 진공 하에서 액정층 형성용 조성물을 적하하여 액정층을 형성한 후 나머지 기판을 전극끼리 대면하도록 접합하여 조립체를 제조하는 단계; 및 상기 조립체의 제1기판과 제2기판 사이에 전기장을 인가한 후 광 조사하는 단계를 포함하며,상기 배향안정화층 형성용 화합물이 히드록시기 또는 NH기와 반응하여 화학결합을 형성할 수 있는 작용기 및 광 조사에 의해 광반응을 일으킬 수 있는 광반응성기를 포함하고,상기 제1 및 제2전극이 금속산화물, 탄소계 전기전도성 물질 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 것인 액정 표시 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 배향안정화층 형성용 화합물이 하기 화학식 1의 화합물인 액정 표시 소자의 제조방법:[화학식 1] An-X-R상기 화학식 1에서, A는 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, RaSO3-, RbCOO- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 이때 상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 할로알킬기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,R은 아크릴기, 메타크릴기, 신나메이트기, 쿠마린기, 비닐기, 티올기, 엔기, 디엔기, 티올엔기, 아세틸렌기, 아크릴옥시기, 메타크릴옥시기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 광반응성기로 치환되거나 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 알케닐알킬기, 탄소수 3 내지 20의 알키닐알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, -Rc-Xa-(Rd)m-Xb-Re,-(Rc-Xa)p-((Rd)m-Xb)q-(Rc-Xa)r-Re(이때 Rc는 각각 독립적으로 탄소수 2내지 10의 알킬렌기이고, Rd는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이며, Re는 수소원자 또는 탄소수 2 내지 10의 알킬기이고, Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 단일결합이거나 또는 -O-, -COO-, -CH=CH-, -CH=C(CH3), -CH=N-, -N=N- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 연결기이고, m은 1 내지 6의 정수이고, p는 0 내지 2의 정수이고, q 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수며, 단 p, q, 및 r이 동시에 0은 아님), 액정성기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,X는 Si, -C=O-, -COO-, -(SO2)-, -O(SO2)-, -O(SO2)O-, -(P=O)O2- 및 -O(P=O)O2-로 이루어진 군에서 선택되고, 그리고n은 1 내지 3의 정수이다
12 12
제11항에 있어서,상기 화학식 1에서, A는 Cl, Br, OH, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 4-메틸벤젠설포네이트기(4-methylbenzene sulfonate), 트리플루오로메탄설포네이트기(trifluoromethane sulfonate), 메탄설포네이트 (methane sulfonate), C4F9SO3-, CH3COO-, CF3COO- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,R은 아크릴기, 메타크릴기, 신나메이트기, 쿠마린기, 비닐기, 티올기, 엔기, 디엔기, 티올엔기, 아세틸렌기, 아크릴옥시기, 메타크릴옥시기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 광반응성기로 치환되거나 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 알킬기, -Rc-Xa-(Rd)m-Xb-Re, -(Rc-Xa)p-((Rd)m-Xb)q-(Rc-Xa)r-Re(이때 Rc는 각각 독립적으로 탄소수 2내지 10의 알킬렌기이고, Rd는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이며, Re는 수소원자 또는 탄소수 2 내지 10의 알킬기이고, Xa 및 Xb는 각각 독립적으로 단일결합이거나 또는 -O-, -COO-, -CH=CH-, -CH=C(CH3), -CH=N-, -N=N- 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 연결기이고, m은 1 내지 6의 정수이고, p는 0 내지 2의 정수이고, q 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이며, 단 p, q 및 r은 동시에 0은 아님), 액정성기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 그리고 X는 Si, -C=O-, -COO-, -(SO2)- 및 -(P=O)O2-로 이루어진 군에서 선택되는 것인 액정 표시 소자의 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 표면 개질 단계에서 액정성기를 포함하는 화합물, 반응성 메조겐(mesogene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 첨가하는 액정 표시 소자의 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 표면 개질 단계에서 3차 아민 화합물을 더 첨가하는 액정 표시 소자의 제조방법
15 15
제10항에 있어서,상기 표면 개질 단계가 유기용매 중에서 배향안정화층 형성용 화합물을 전극 표면과 반응시키는 액상 반응, 또는 배향안정화층 형성용 화합물을 전극 표면에 기화시켜 반응시키는 기상반응에 의해 실시되는 액정 표시 소자의 제조방법
16 16
제10항에 있어서,상기 전극 형성 단계 전, 상기 제1 및 제2 기판중 적어도 하나의 기판에 대해 전기절연성 화합물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 전기절연성 화합물층이 실리콘 산화물의 단일막, 실리콘 질화물의 단일막 및 이들의 2층 이상의 적층체로 이루어진 군에서 선택되는 액정 표시 소자의 제조방법
18 18
제10항에 있어서,상기 표면 개질 단계 전, 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 전극에 대해 패턴화 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 소자의 제조방법
19 19
제10항에 있어서,상기 전기장 인가 공정이 직교편광자 하에서 최대 투과도의 5 내지 100%에 해당하는 직류 또는 교류 전기장이 인가된 조건하에서 실시되는 액정 표시 소자의 제조방법
20 20
제10항에 있어서,상기 광 조사 공정이 자외선 조사에 의해 실시되는 것인 액정 표시 소자의 제조방법
21 21
제10항에 있어서,상기 액정층 형성용 조성물이 광 개시제를 더 포함하는 액정 표시 소자를 제조방법
22 22
제1기판 및 제2기판에 대해 각각 제1및 제2전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 전극에 대해 그 상부에 전기절연성 화합물층을 형성하는 단계;상기 전기절연성 화합물층 형성 단계의 결과로 각각 독립적으로 상부에 전기절연성 화합물층이 형성된 전극 및 전기절연성 화합물층 미형성 전극 중 어느 하나를 포함하는 제1기판 및 제2기판에 대해 배향안정화층 형성용 화합물을 처리하여 전기절연성 화합물층 또는 전극 표면을 개질하는 표면 개질 단계; 상기 표면 개질 단계의 결과로 표면이 개질된 전기절연성 화합물층 또는 전극을 포함하는 제1기판 및 제2기판을 전극들끼리 대면하도록 하여 접합한 후 제1기판과 제2기판 사이의 공간에 액정층 형성용 조성물을 주입하거나, 또는 상기 표면 개질 단계의 결과로 표면이 개질된 전기절연성 화합물층 또는 전극을 포함하는 제1기판과 제2기판 중 어느 하나에 대해 진공하에서 액정층 형성용 조성물을 적하하여 액정층을 형성한 후 나머지 기판을 전극끼리 대면하도록 접합하여 조립체를 제조하는 단계; 및 상기 조립체의 제1기판과 제2기판 사이에 전기장을 인가한 후 광 조사하는 단계를 포함하며,상기 배향안정화층 형성용 화합물이 히드록시기 또는 NH기와 반응하여 화학결합을 형성할 수 있는 작용기 및 광 조사에 의해 광반응을 일으킬 수 있는 광반응성기를 포함하고,상기 제1 및 제2전극이 금속산화물, 탄소계 전기전도성 물질 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 것인 액정 표시 소자의 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 전극 형성 단계 전, 상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 하나의 기판에 대해 전기절연성 화합물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 소자의 제조방법
24 24
제22항에 있어서,상기 표면 개질 단계 전, 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 전극에 대해 패턴화 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 소자의 제조방법
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1 WO2014003311 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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