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p-GaN 오믹 전극 제조방법 및 이에 의하여 제조된 p-GaN 오믹 전극

  • 기술번호 : KST2015001690
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 p-GaN 오믹 전극 제조방법 및 이에 의하여 제조된 p-GaN 오믹 전극이 제공된다. 본 발명에 따른 p-GaN 오믹 전극 제조방법은 p-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계; 및 상기 식각처리된 p-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, KOH에 의한 습식 식각 공정-금속박막 증착 공정을 연속적으로 진행함으로써 개선된 오믹 컨택 특성을 갖는 반극성(Semipolar) 또는 비극성(nonpolar) p-GaN 기반 오믹 전극을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 33/16 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020120099475 (2012.09.07)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1372352-0000 (2014.03.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 이성남 대한민국 경기도 시흥시 산기
3 정성민 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0725292-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0912154-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051659-46
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0560303-07
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0926941-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1020702-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1020703-12
10 등록결정서
Decision to grant
2013.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0879105-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반극성 또는 비극성인 p-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계;상기 식각처리된 p-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계를 포함하며, 상기 p-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계에 따라 상기 p-GaN층 표면에는 요철구조가 형성되며, 상기 반극성 또는 비극성인 p-GaN층과 상기 금속층은 오믹 컨택을 형성하는 것을 특징으로 하는 p-GaN 오믹 전극 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반극성 p-GaN 층은 (11-22), (10-11), (20-21) 또는 (30-31) 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 사파이어 기판 위에 성장한 것을 특징으로 하는 p-GaN 오믹 전극 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 비극성 p-GaN 층은 (11-20), (10-11), (11-22) 결정구조의 사피이어 기판 위에 성장한 것을 특징으로 하는 p-GaN 오믹 전극 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속층은 Pd, Pt, Ag 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 p-GaN 오믹 전극 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 금속층은 순차적으로 적층된 Pd/Pt/Ag인 것을 특징으로 하는 p-GaN 오믹 전극 제조방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국산업 기술대학교 중견연구자 지원사업 반극성 질화물계 녹색 LED개발