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고효율 발광다이오드 제조방법

기술번호 : KST2015001723
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 3차원 구조물을 이용한 발광 다이오드 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판위에 3차원 구조물을 형성한 후, 3차원 구조물 사이사이에 파티클을 형성함으로써 산란(scattering)효과에 의한 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판과 3차원 구조물을 손쉽게 분리시켜 기판을 재사용할 수 있는 기술적 특징이 있다.
Int. CL	H01L 33/30 (2014.01) H01L 33/32 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020120040207 (2012.04.18)
출원인	전북대학교산학협력단, 서울바이오시스 주식회사
등록번호/일자	10-1373398-0000 (2014.04.08)
공개번호/일자	10-2013-0117233 (2013.10.25) 문서열기
공고번호/일자	(20140429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호	1020130045844;
심사청구여부/일자	Y (2012.04.18)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구
2	서울바이오시스 주식회사	대한민국	경기도 안산시 단원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이인환	대한민국	전북 전주시 완산구
2	전대우	대한민국	전북 전주시 완산구
3	최주원	대한민국	경기 화성시
4	조한수	대한민국	전북 정읍시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이준혁	대한민국	경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단		전라북도 전주시 덕진구
2	서울바이오시스 주식회사		경기도 안산시 단원구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.04.18	수리 (Accepted)	1-1-2012-0306981-59
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.02.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0009064-61
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0129438-18
6	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2013.04.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-0363514-66
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.04.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0363518-48
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.07.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0480432-23
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.09.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0828928-83
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.09.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-0828925-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.09.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-5126387-92
12	등록결정서 Decision to grant	2013.12.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0897863-56
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.07.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5089977-41
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.17	수리 (Accepted)	4-1-2014-5110518-03
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
20	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판상에 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계;상기 GaN 계열 반도체층 상에 복수의 금속 나노 도트 마스크를 형성한 후 선택적으로 에칭하여 복수의 GaN 계열 3차원 구조물을 형성하는 단계;상기 복수의 GaN 계열 3차원 구조물 사이에 직경이 50㎚ 내지 1㎛인 SiO2 또는 SiNx 파티클을 형성하는 단계;상기 금속 나노 도트 마스크를 제거하여 상기 GaN 계열 3차원 구조물 상단에 GaN 표면을 노출시키는 단계;상기 노출된 GaN 표면을 씨드로 하여 제1반도체층을 재성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
2	2 삭제
3	3 제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 반도체층은 u-GaN 또는 n-GaN 인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
4	4 제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 3차원 구조물은 마이크로 또는 나노사이즈의 로드 또는 필러(pillar)인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
5	5 제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 3차원 구조물의 높이는 100㎚ 내지 3㎛ 이고, 직경은 50㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 3차원 구조물의 간격은 100nm 내지 2㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
7	7 삭제
8	8 제 1항에 있어서,상기 3차원 구조물 상단에 형성되는 제1반도체층을 재성장시키는 단계는 에피탁시 측방과성장(ELOG)성장법을 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
9	9 제 1항에 있어서,상기 제1반도체층을 재성장시키는 단계 후, 활성층 및 제2반도체층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
10	10 제 1항에 있어서,기판상에 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계는, u-GaN층을 형성하는 단계, 도핑농도가 1×1018㎤ ~1×1020㎤ 인 고농도 n-GaN 층을 성장시킨 후 연속하여 u-GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
11	11 제 10항에 있어서,상기 방법은, 제1반도체층을 재성장시키는 단계 후에 활성층 및 제2반도체층을 형성하는 단계;3차원 구조물 사이의 파티클을 제거하는 단계; 및도핑농도가 1×1018㎤ ~1×1020㎤ 인 고농도 n-GaN 계열 3차원 구조물만을 전기화학적 에칭 또는 건식 식각(dry etching)으로 제거하여 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
12	12 삭제
13	13 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	KR1020130117735	KR	대한민국	FAMILY
2	WO2013157875	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2013157875	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1373398-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120418 출원 번호 : 1020120040207 공고 연월일 : 20140429 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131226 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/30 발명의 명칭 : 고효율 발광다이오드 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구...
1	(권리자) 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	279,570 원	2014년 04월 08일	납입
제 4 년분	금 액	166,600 원	2017년 03월 08일	납입
제 5 년분	금 액	166,600 원	2018년 03월 13일	납입
제 6 년분	금 액	181,590 원	2019년 07월 08일	납입
제 7 년분	금 액	309,400 원	2020년 04월 01일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.04.18	수리 (Accepted)	1-1-2012-0306981-59
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
3	선행기술조사의뢰서	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2013.02.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0009064-61
5	의견제출통지서	2013.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0129438-18
6	[분할출원]특허출원서	2013.04.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-0363514-66
7	[명세서등 보정]보정서	2013.04.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0363518-48
8	의견제출통지서	2013.07.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0480432-23
9	[명세서등 보정]보정서	2013.09.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0828928-83
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.09.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-0828925-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2013.09.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-5126387-92
12	등록결정서	2013.12.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0897863-56
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.07.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5089977-41
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.17	수리 (Accepted)	4-1-2014-5110518-03
15	출원인정보변경(경정)신고서	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
17	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
18	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
19	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
20	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79


기술번호	KST2015001723
자료제공기관	NTB
기술공급기관	전북대학교
기술명	고효율 발광다이오드 제조방법
기술개요	본 발명은 3차원 구조물을 이용한 발광 다이오드 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판위에 3차원 구조물을 형성한 후, 3차원 구조물 사이사이에 파티클을 형성함으로써 산란(scattering)효과에 의한 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판과 3차원 구조물을 손쉽게 분리시켜 기판을 재사용할 수 있는 기술적 특징이 있다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	고효율 발광다이오드 제조
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항

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