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은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 이산화질소 가스 센서의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 센서

  • 기술번호 : KST2015001761
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 센서에 관한 것으로, 본 발명에 따른 센서는 은나노입자 모액의 농도와 감마선의 조사 조건을 제어하여 은(Ag)나노입자를 나노와이어 표면에 특정 입자 크기와 표면적 비율로 코팅한 다음, 열처리를 통하여 나노와이어 표면에 은나노입자와 산화은나노입자가 공존하게 함에 따라서, NO2 가스에 대한 선택적인 센싱 성능이 현저히 향상되는 효과가 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020130008619 (2013.01.25)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0095791 (2014.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 경기 부천시 원미구
2 최선우 대한민국 경북 김천시 평화중
3 선건주 대한민국 인천 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0074462-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0035723-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0364259-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0709345-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0816543-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0816539-34
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0893617-83
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0098937-95
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0098934-58
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0107673-95
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.03.02 수리 (Accepted) 7-1-2015-0008112-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
VLS(vapor-liquid-solid) 성장법으로 이산화주석(SnO2) 나노와이어를 기판 상의 전극에 형성시키는 단계(단계 1);질산은 2 X 10-4 mM 내지 2 X 10-2 mM을 용매에 넣고 교반하여 은나노입자 모액을 준비하고, 상기 단계 1에서 얻은 기판을 침지하는 단계(단계 2);2-15 kGy/h 조사선량으로 0
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 2의 질산은 농도는 2 X 10-3 mM인 것을 특징으로 하는 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 감마선은 60Co인 것을 특징으로 하는 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 3의 감마선 조사선량은 7-13 kGy/h인 것을 특징으로 하는 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 단계 3의 감마선 조사시간은 1-2 시간인 것을 특징으로 하는 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제조방법으로 제조되는 센서의 나노와이어 표면에 코팅되는 은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적 비율(은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
7 7
제1항에 있어서,상기 제조방법으로 제조되는 센서의 나노와이어 표면에 코팅되는 은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적 비율(은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
8 8
제1항의 제조방법으로 제조되는 은나노입자 및 산화은나노입자가 나노와이어 표면에 코팅된 NO2 가스 센서
9 9
제9항에 있어서,상기 센서의 나노와이어 표면에 코팅되는 은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적 비율(은나노입자 및 산화은나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 방사선기술개발사업 Radiolysis와 system-on-chip공정을 결합한 VOCs 선택검지 시스템 개발