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황화수소를 선택적으로 감지하는 가스 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001785
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 황화수소를 선택적으로 감지하는 가스 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판; 상기 기판 상에 구비되는 전극; 상기 전극 표면에 형성되는 이산화주석 나노와이어; 및 상기 이산화주석 나노와이어 표면에 형성된 산화구리 나노입자를 포함하는 가스 센서에 있어서, 상기 산화구리 나노입자의 표면적과, 이산화주석 나노와이어의 표면적 비율(산화구리 나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0.2 내지 0.5인 것을 특징으로 하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 산화구리 나노입자가 나노와이어 표면에 균일하게 분포된 구조를 갖으며, 이에 따라 비표면적이 크게 증대되고, 산화구리 나노 입자에 의해 가스감지 특성이 더욱 증진되는 효과가 있다. 아울러, 본 발명에 따른 가스 센서는 황화수소에 대한 감응도가 특히 우수하여 황화수소를 선택적으로 감지할 수 있고, 미량의 황화수소라 하더라도 이를 신속하게 감지할 수 있는 효과가 있다. 나아가, 산화구리 나노입자의 크기 및 두께를 조절하여 가스 센서의 감도 특성을 조절할 수 있다.
Int. CL G01N 27/416 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/407(2013.01) G01N 27/407(2013.01) G01N 27/407(2013.01) G01N 27/407(2013.01) G01N 27/407(2013.01)
출원번호/일자 1020130018716 (2013.02.21)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0104784 (2014.08.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 경기 부천시 원미구
2 최선우 대한민국 경북 김천시 평화중
3 카토치 아카쉬 인도 인천 남구
4 선건주 대한민국 인천 계양구
5 변준혁 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.21 취하 (Withdrawal) 1-1-2013-0158367-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0039895-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370776-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0709343-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0828212-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0828211-01
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0069274-00
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.03.02 수리 (Accepted) 7-1-2015-0008113-43
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.03.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0313917-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0313918-61
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0280245-25
13 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2015.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0509469-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 구비되는 전극;상기 전극 표면에 형성되는 이산화주석 나노와이어; 및상기 이산화주석 나노와이어 표면에 형성된 산화구리 나노입자를 포함하는 가스 센서에 있어서,상기 산화구리 나노입자의 표면적과, 이산화주석 나노와이어의 표면적 비율(산화구리 나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화구리 나노입자의 표면적과, 이산화주석 나노와이어의 표면적 비율(산화구리 나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화구리 나노입자의 크기는 5 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서
4 4
이산화주석(SnO2) 나노와이어를 기판 상의 전극에 형성시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 이산화주석(SnO2) 나노와이어를 구리 전구체 용액에 침지시킨 후, 감마선을 조사하여 이산화주석 나노와이어 표면에 구리 나노입자를 성장시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 감마선이 조사된 이산화주석 나노와이어를 열처리하여 산화구리 나노입자를 형성시키는 단계(단계 3);를 포함하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 단계 2의 구리 전구체는 CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, 및 (CH3COO)2Cu를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 단계 2의 구리 전구체 용액은 탈이온수, 저급알코올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서의 제조방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 단계 2의 감마선은 2 내지 15 kGy/h의 조사선량으로 0
8 8
제4항에 있어서, 상기 단계 2의 감마선은 60Co인 것을 특징으로 하는 황화수소(H2S)를 선택적으로 감지하는 가스 센서의 제조방법
9 9
제4항에 있어서, 상기 단계 3의 열처리는 400 내지 600 ℃의 온도로 0
10 10
제4항에 있어서, 상기 제조방법으로 제조되는 가스 센서는 형성된 산화구리 나노입자의 표면적과, 이산화주석 나노와이어의 표면적 비율(산화구리 나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
11 11
제4항에 있어서, 상기 제조방법으로 제조되는 가스 센서는 형성된 산화구리 나노입자의 표면적과, 이산화주석 나노와이어의 표면적 비율(산화구리 나노입자의 표면적/이산화주석 나노와이어의 표면적)은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 방사선기술개발사업 Radiolysis와 system-on-chip 공정을 결합한 VOCs 선택검지 시스템 개발