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기판 표면에 반도체 나노선을 성장시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 반도체 나노선이 성장된 기판으로 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF)가 용해된 용액을 스프레이 코팅하여 PVDF 막을 성막하는 단계(단계 2);단계 2에서 성막된 PVDF 막을 기판으로부터 분리하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 분리된 반도체 나노선을 포함하는 PVDF 막의 일단면과, 상기 일단면과 대칭되는 타단면으로 음극부 및 양극부를 증착하는 단계(단계 4);를 포함하는 발전소자의 제조방법
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기판 표면에 나노선을 성장시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 나노선이 성장된 기판으로 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF)가 용해된 용액을 스프레이 코팅하여 PVDF 막을 성막하는 단계(단계 2);단계 2에서 성막된 PVDF 막을 기판으로부터 분리하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 분리된 PVDF 막으로부터 나노선만을 제거하는 단계(단계 4);상기 단계 4에서 나노선이 제거된 PVDF 막의 일단면과, 상기 일단면과 대칭되는 타단면으로 음극부 및 양극부를 증착하되, PVDF 막의 나노선이 제거된 부분으로 음극부 또는 양극부를 삽입시키는 단계(단계 5);를 포함하는 발전소자의 제조방법
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기판 표면에 반도체 나노선을 성장시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 반도체 나노선이 성장된 기판으로 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF)가 용해된 용액을 스프레이 코팅하여 PVDF 막을 성막하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 스프레이 코팅된 PVDF 막 상부로, 표면에 반도체 나노선이 성장된 또 다른 기판을 삽입하는 단계(단계 3);반도체 나노선 및 PVDF 막을 기판으로부터 분리하는 단계(단계 4);상기 단계 4에서 분리된 반도체 나노선을 포함하는 PVDF 막의 일단면과, 상기 일단면과 대칭되는 타단면으로 음극부 및 양극부를 증착하는 단계(단계 5);를 포함하는 발전소자의 제조방법
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기판 표면에 나노선을 성장시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 나노선이 성장된 기판으로 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF)가 용해된 용액을 스프레이 코팅하여 PVDF 막을 성막하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 스프레이 코팅된 PVDF 상부로, 표면에 나노선이 성장된 또 다른 기판을 삽입하는 단계(단계 3);나노선 및 PVDF 막을 기판으로부터 분리하는 단계(단계 4);상기 단계 4에서 분리된 나노선 및 PVDF 막으로부터 나노선만을 제거하는 단계(단계 5);상기 단계 5에서 나노선이 제거된 PVDF 막의 일단면과, 상기 일단면과 대칭되는 타단면으로 음극부 및 양극부를 증착하되, PVDF 막의 나노선이 제거된 부분으로 음극부 및 양극부를 삽입시키는 단계(단계 6);를 포함하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선은 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(lead zirconate titanate; PZT), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산 납 (PbTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 및 탄화실리콘(SiC)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 PVDF가 용해된 용액은 탄소나노튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선 및 PVDF 막의 분리는 레이저 조사를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 나노선의 제거는 산성용액으로의 침지를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 단계 3의 삽입은 기판을 100 내지 300 ℃의 온도로 가열하며 수행되는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음극부 및 양극부는 알루미늄, 백금 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 금속전극인 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 PVDF 막은 β상 PVDF 막인 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 나노선을 성장시키기 전, 기판 표면에 이형층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발전소자의 제조방법
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제1항 또는 제3항의 제조방법으로 제조되며,PVDF 막의 내부로 반도체 나노선이 함몰된 이종접합 구조인 나노발전소자
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제2항 또는 제4항의 제조방법으로 제조되며,음극부, 양극부, 또는 음극부 및 양극부 모두인 전극의 일부가 PVDF 막의 내부로 삽입되어 있는 나노발전소자
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