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산화물 반도체 나노와이어, 및 상기 나노와이어 표면에 불연속적으로 부착된 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 가스 감지 물질로서 포함하는 가스 감지 센서에 있어서, 상기 나노와이어 및 나노섬은1) p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬; 또는2) n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이되, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체와 나노와이어의 n형 산화물 반도체의 일함수가 상이;하고,상기 나노와이어 및 나노섬이 p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬인 경우, 산화성 가스를 감지하며,상기 나노와이어 및 나노섬이 n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이며, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체는 나노와이어의 n형 산화물 반도체보다 일함수가 큰 경우 환원성 가스를 감지하고,상기 나노와이어 및 나노섬이 n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이며, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체는 나노와이어의 n형 산화물 반도체보다 일함수가 작은 경우 산화성 가스를 감지하는 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 n형 산화물 반도체는 ZnO, SnO2, In2O3, WO3, Fe2O3, 및 TiO2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 Co3O4, CoO, NiO, Ni2O3, MnO2, Mn3O4, CuO, Cr2O3, 및 Bi2O3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 나노와이어의 직경은 20 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 나노섬의 직경은 10 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 나노와이어의 전체 표면적에 대한 나노섬이 부착된 면적의 합(나노섬이 부착된 면적의 합/나노와이어의 전체 표면적)은 0
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산화물 반도체 나노와이어 표면에 산화물 반도체 입자를 나노섬 구조로 형성시키되, 상기 나노와이어 및 나노섬이1) p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬; 또는2) n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이되, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체와 나노와이어의 n형 산화물 반도체의 일함수가 상이;하도록 산화물 반도체 나노와이어 표면에 산화물 반도체 입자를 형성시키는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 표면에 산화물 반도체 입자가 형성된 산화물 반도체 나노와이어를 가스 감지 물질로서 전극이 형성된 기판상에 구비시키는 단계(단계 2)를 포함하는 제1항에 따른 가스 감지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 단계 1의 산화물 반도체 입자는 열 증착법, 스퍼터링, 용액법, 및 방사선 분해(Radiolysis)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 공정을 통해 나노와이어 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 단계 2의 가스 감지 물질은 액상 내로 분산된 후, 전극이 형성된 기판상에 코팅되는 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 알루미나, 유리, 및 산화실리콘으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 절연기판 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서의 제조방법
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