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광을 조사하는 광원;상기 광원에서 조사된 광을 외부 환경에 따라 파장 선택적으로 반사하는 광 센서;상기 광 센서에서 반사된 광의 세기 및 파장을 전기 신호로 출력하는 광 신호처리 모듈;상기 광 신호처리 모듈에서 출력되는 상기 광의 세기 및 파장의 비율을 상기 외부 환경에 대한 센싱 정보로 출력하는 전기 신호처리 모듈; 및상기 광원, 상기 광 센서 및 상기 광 신호처리 모듈 사이에 마련된 광 중계기;를 포함하고,상기 광 신호처리 모듈은,상기 광 센서에서 반사된 광을 분할하여 하기 제1 광검출기 및 하기 광 필터로 출사하는 빔 스플리터;상기 빔 스플리터에서 분할된 광의 세기를 전기 신호로 변환하여 참조 정보를 출력하는 제1 광검출기;상기 빔 스플리터에서 분할된 광의 파장 정보를 상기 파장정보에 비례하는 광으로 출사하는 광 필터; 및상기 광 필터에서 출사되는 광의 세기를 전기 신호로 변환하여 파장 정보를 출력하는 제2 광검출기;를 포함하고,상기 전기 신호처리 모듈은, 상기 참조 정보와 상기 파장 정보의 비율을 상기 외부 환경에 대한 센싱 정보로 출력하며,상기 광 필터에서, 출사 광의 세기는 입사 광의 파장에 비선형적이고,상기 광원은, 상기 광 중계기를 통해 상기 광 센서로 광을 전달하고, 상기 광 중계기를 통해 상기 광 센서로부터 수신한 광을 증폭하여 상기 광 중계기를 통해 상기 광 신호처리 모듈로 전달하는 R-SOA(Reflective Semiconductor Optical Amplifier)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서 시스템
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제 1항에 있어서,상기 외부 환경은,온도, 변형, 압력, 진동, 화학 성분, 광 센서로 측정할 수 있는 물리량 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서 시스템
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광 센서에서 반사된 광을 분할하여 하기 제1 광검출기 및 하기 광 필터로 출사하는 빔 스플리터;상기 빔 스플리터에서 분할된 광의 세기를 전기 신호로 변환하여 참조 정보를 출력하는 제1 광검출기;상기 빔 스플리터에서 분할된 광의 파장 정보를 광으로 출사하는 광 필터; 및상기 광 필터에서 출사되는 광의 세기를 전기 신호로 변환하여 파장 정보를 출력하는 제2 광검출기;를 포함하고,상기 광 필터는, 출사 광의 세기가 입사 광의 파장에 비선형적이고,R-SOA(Reflective Semiconductor Optical Amplifier)가, 광 중계기를 통해 상기 광 센서로 광을 전달하고, 상기 광 중계기를 통해 상기 광 센서로부터 수신한 광을 증폭하여 상기 광 중계기를 통해 상기 빔 스플리터로 전달하는 것을 특징으로 하는 광 신호처리 모듈
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