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하기 화학식 1로 표시되는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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제 1항에 있어서, 상기 폴리실세스퀴옥산은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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3
제 1항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 탄소수 2~30인 선형 알킬기, 가지형 알킬기 또는 알케닐기인 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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제 1항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 탄소수 2~30인 선형 알킬기, 가지형 알킬기, 또는 알케닐기 로서, 이들 중 하나 이상의 탄소가 O, S, N 또는 F로 치환된 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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제 1항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 탄소수 1~30의 알킬렌기, 알콕시기, 플루오르 알킬렌기, 에테르기, 플루오르에테르기 또는 -OR3O- 이고, 여기서 R3는 1~30의 알킬렌기 또는 플루오르 알킬렌기인 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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6
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5로 표시되는 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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7
제 1항에 있어서, 상기 포스-덴드론 구조의 액정화합물이 하기 화학식 7로 표시되는 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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8
제 1항에 있어서, 상기 포스-덴드론 구조의 액정 액정화합물은 중량평균 분자량이 500~3,000 g/mol인 것을 특징으로 하는 포스-덴드론 구조의 액정화합물
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 덴드론 구조의 액정화합물을 포함하는 액정표시소자로서, 상기 액정화합물이 액정층에 첨가제로 사용되어 액정 분자들의 배열성을 향상시키거나, 또는 액정층 표면의 상부, 하부 또는 상하부 동시에 위치하여 액정의 배향성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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R1인 알킬체인과 M인 메조겐을 1:0
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제 10항에 있어서, 상기 폴리실세스퀴옥산을 넣어 반응시키는 단계는 폴리실세스퀴옥산 말단 작용기에 NCO를 도입한 후 상기 R1-M-R2-Ar과 반응시키는 단계인 포스-덴드론 구조의 액정화합물 제조방법
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