맞춤기술찾기

이전대상기술

금속층의 무전해 도금 기술

  • 기술번호 : KST2015002259
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 금속 패터닝 방법은, 나노 스케일의 금속 패턴을 형성하는 방법으로서, 기판 상에 금속 재료로 된 금속층이 형성되는 금속층 형성 단계; 다수의 고분자 콜로이달 입자의 도포 및 산소 플라즈마 처리를 이용하여, 상기 금속층 표면에 부분적인 산화층이 형성되는 산화층 형성 단계; 금속층 및 산화층의 식각률 차이를 이용하여, 산화층이 형성되지 않고 노출된 금속층 부분이 식각 용액에 의하여 식각 제거되는 식각 단계; 를 포함한다.
Int. CL C23F 1/02 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) G01N 21/55 (2014.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120021418 (2012.02.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1437862-0000 (2014.08.29)
공개번호/일자 10-2013-0099710 (2013.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임현의 대한민국 대전 서구
2 지승묵 대한민국 대전 서구
3 김완두 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0170752-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026849-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0297700-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0555871-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0555821-71
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0695854-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1124292-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1124267-12
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0255466-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0381531-99
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0381527-16
13 등록결정서
Decision to grant
2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0395033-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
나노 스케일의 금속 패턴을 형성하는 방법으로서,기판 상에 금속 재료로 된 금속층이 형성되는 금속층 형성 단계;고분자 콜로이달 입자의 도포 및 산소 플라즈마 처리를 이용하여, 상기 금속층 표면에 부분적인 산화층이 형성된 후, 고분자 콜로이달 입자가 제거되는 산화층 형성 단계;금속층 및 산화층의 식각률 차이를 이용하여, 산화층이 형성되지 않고 노출된 금속층 부분이 식각 용액에 의하여 식각 제거되는 식각 단계;를 포함하며,상기 산화층 형성 단계는상기 금속층 표면에 고분자 콜로이달 입자가 단일층으로 균일하게 도포되는 단계;산소 플라즈마 처리에 의하여, 상기 고분자 콜로이달 입자가 소립 직경화됨과 동시에 소립 직경화된 상기 고분자 콜로이달 입자에 의하여 노출된 상기 금속층 표면 일부에 부분적인 산화층이 형성되는 단계;상기 고분자 콜로이달 입자가 제거되는 단계;를 포함하고,상기 고분자 콜로이달 입자는 폴리스티렌(PS, polystyrene)이나 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate) 중 선택되는 적어도 하나이며, 상기 금속 재료는 Al, Cu, Ti, Ag, Ni, Cr 중 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 패터닝 방법
3 3
나노 스케일의 금속 패턴을 형성하는 방법으로서,기판 상에 금속 재료로 된 금속층이 형성되는 금속층 형성 단계;고분자 콜로이달 입자의 도포 및 산소 플라즈마 처리를 이용하여, 상기 금속층 표면에 부분적인 산화층이 형성된 후, 고분자 콜로이달 입자가 제거되는 산화층 형성 단계;금속층 및 산화층의 식각률 차이를 이용하여, 산화층이 형성되지 않고 노출된 금속층 부분이 식각 용액에 의하여 식각 제거되는 식각 단계;를 포함하며,상기 산화층 형성 단계는상기 금속층 표면이 산화 처리되어 상기 금속층 표면 전체에 산화층이 형성되는 단계;상기 산화층이 형성된 상기 금속층 표면에 고분자 콜로이달 입자가 단일층으로 균일하게 도포되는 단계;산소 플라즈마 처리에 의하여 상기 고분자 콜로이달 입자가 소립 직경화되는 단계;이온빔이 조사되어, 소립 직경화된 상기 고분자 콜로이달 입자에 의하여 노출된 상기 금속층 표면 일부의 부분적인 산화층이 제거되어 상기 금속층이 노출되는 단계;상기 고분자 콜로이달 입자가 제거되는 단계;를 포함하고,상기 고분자 콜로이달 입자는 폴리스티렌(PS, polystyrene)이나 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate) 중 선택되는 적어도 하나이며, 상기 금속 재료는 Al, Cu, Ti, Ag, Ni, Cr 중 선택되는 적어도 하나이며, 상기 이온빔은 비활성기체인 Ar, He, Xe 이온빔 중 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 패터닝 방법
4 4
삭제
5 5
제 2항 또는 제3항에 있어서, 상기 고분자 콜로이달 입자는용매에 의해 용해되어 제거되는 화학적 제거 또는 접착테이프를 이용한 물리적 제거 중 선택되는 적어도 어느 하나의 방법에 의하여 제거되는 금속 패터닝 방법
6 6
제 2항 또는 제3항에 있어서, 상기 금속층 형성 단계는기판 상에 금속 재료가 전자빔증착(e-beam deposition), 열증착(thermal deposition), 스퍼터링(supttering), 또는 전기화학적 증착 중 선택되는 적어도 하나의 방법에 의해 코팅되는 금속 패터닝 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 지경부-국가연구개발사업(II) 자연모사 응용 스마트 물/용제 순환기술 (1/5)