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n형 반도체 패턴이 형성된 제 1 기판과 p형 반도체 패턴이 형성된 제 2 기판을 상호 대향되게 위치시킨 후 p형 반도체 패턴과 n형 반도체 패턴이 π형으로 직렬 연결되게 본딩하여 열전 요소부를 형성하는 마이크로 열전 에너지 변환 모듈을 제조하는 방법에 있어서,
상기 제 1 기판 또는 제 2 기판의 열전 요소부 주변 영역에 본딩 특성을 개선하기 위한 더미 패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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제 1항에 있어서,
상기 열전 요소부와 더미 패턴 형성은;
제 1 기판 상에 절연층과 전극층 및 포토레지스트 패턴을 순차로 형성하는 단계와,
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 열전 요소부와 더미 패턴부을 제외한 영역의 금속층을 식각하여 절연층의 일부를 노출시키는 단계와,
상기 열전 요소부의 전극층 일측 상부면을 노출시키고 노출된 전극층 상에 제 1 불순물 반도체 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 1 불순물 타입의 제 1 반도체 패턴 상에 본딩층을 형성하여 제 1 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 1 기판과 별도의 기판에 절연층과 전극층 및 포토레지스트 패턴을 순차로 형성하는 단계와,
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 열전 요소부과 더미 패턴부을 제외한 영역의 금속층을 식각하여 절연층의 일부를 노출시키는 단계와,
상기 열전 요소부의 전극층 일측 상부면과 더미 패턴부의 전극층 상부면을 노출시키고 노출된 전극층 상에 제 1 불순물과 반대 타입의 제 2 불순물 반도체 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 2 불순물 반도체 패턴 상에 본딩층을 형성하여 제 2 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 1 패턴과 제 2 패턴 각각의 본딩층이 서로 반대 패턴의 전극층과 상호 마주보도록 본딩하여 열전 요소부의 주변 영역에 더미 패턴부를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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제 2항에 있어서,
상기 전극층은 금(Au) 또는 티타늄/금(Ti/Au) 적층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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4
제 2항에 있어서,
상기 제 1 반도체 패턴과 제 2 반도체 패턴은 co-sputtering 공정 또는 co-evaporating 공정으로 형성함을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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5
제 2항에 있어서,
상기 본딩층은 금(Au)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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6
제 2항에 있어서,
상기 본딩층은 주석(Sn)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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7
제 2항에 있어서,
상기 제 1 반도체 패턴 및 제 2 반도체 패턴과 상기 본딩층 사이에는 확산 방지용 니켈(Ni)층을 더 형성함을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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8
제 2 항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본딩층을 형성한 후에 열공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 본딩 특성이 개선된 마이크로 열전 에너지 변환 모듈 제조 방법
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