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광전변환장치

  • 기술번호 : KST2015002314
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노 소재와 금속과의 쇼트키 접합에 의한 정류 작용을 적용한 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한, 본 발명의 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치는 포톤 에너지를 가지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 장치에 있어서, 기판, 상기 기판 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 사이에 수직 배열되거나 상기 기판 상에 수평 배열된 다수의 반도체 나노소재로 구성된 나소 소재층, 상기 반도체 나노소재층 상부에 상기 반도체 나노소재와 쇼트키 접합되는 금속층을 포함하여, 상기 쇼트키 접합된 상기 반도체 나노소재와 상기 금속층 사이에 발생하는 정류에 의해 전기 에너지가 생성되도록 하는 것을 특징한다. 쇼트키 접합, 금속, 반도체 나노소재, 일함수, 포톤 에너지
Int. CL B82Y 40/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080030951 (2008.04.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0953448-0000 (2010.04.09)
공개번호/일자 10-2009-0105482 (2009.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.02)
심사청구항수 33

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 대전 유성구
2 한창수 대한민국 대전 유성구
3 이응숙 대한민국 경남 마산시
4 최병익 대한민국 대전 서구
5 황경현 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0240910-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0035066-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0521826-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0801195-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0801174-60
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0176023-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0146554-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포톤 에너지를 가지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 장치에 있어서, 기판, 상기 기판 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 사이에 수직 배열된 다수의 반도체 나노소재로 구성된 나소 소재층, 상기 반도체 나노소재층 상부에 상기 반도체 나노소재와 쇼트키 접합되는 금속층을 포함하여, 상기 쇼트키 접합된 상기 반도체 나노소재와 상기 금속층 사이에 발생하는 정류에 의해 전기 에너지가 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
2 2
포톤 에너지를 가지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 장치에 있어서, 기판, 상기 기판 상에 다수의 반도체 나노소재가 수평 배열된 반도체 나노소재층, 상기 반도체 나노소재층 상에 상기 반도체 나노소재와 쇼트키 접합되는 금속층을 포함하여, 상기 쇼트키 접합된 상기 반도체 나노소재와 상기 금속층 사이에 발생하는 정류에 의해 전기 에너지가 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
3 3
제 2항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층과 금속층 사이에는 상기 반도체 나노소재와 상기 금속층의 쇼트키 접합이 이루어질 수 있는 두께의 절연층이 더 형성됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기판은 전도성 기판으로 이루어져 후면 접합 전극으로 이용됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
5 5
제 3항에 있어서, 상기 기판의 하부에 후면 접합 전극이 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
6 6
제 3항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층의 일측 상부에 상기 반도체 나노소재와 오믹 접합을 이루는 금속 물질로 이루어지는 후면 접합 전극이 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층이 전면 접합 전극으로 이용됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
8 8
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층 상부에 상기 금속층과 오믹 접합을 이루는 금속 물질로 이루어지는 전면 접합 전극이 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
9 9
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 도핑 또는 접합을 통해 성격이 변화된 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
10 10
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 반도체 나노소재 지지층인 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
11 11
제 1항 또는 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한항에 있어서, 상기 절연층은 투명 재질의 반사방지막인 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
12 12
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 4족 진성 반도체 또는 4-4족 화합물 반도체 또는 3-5족 화합물 반도체 또는 2-6족 화합물 반도체 또는 4-6족 화합물 반도체 중 선택된 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
13 13
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 n형 반도체로서 반도체 나노소재의 일함수(Φs)가 금속층(Φm)의 일함수 보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
14 14
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 p형 반도체로서 반도체 나노소재의 일함수(Φs)가 금속층(Φm)의 일함수 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치
15 15
반도체 나노소재와 금속층의 쇼트키 접합에 의해 생성되는 정류 작용에 의해 포톤 에너지를 가지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 장치 제조 방법에 있어서, 기판 상에 상기 기판에 수직하게 다수의 반도체 나노소재를 수직하게 배열하여 반도체 나노소재층을 형성하는 단계; 상기 각각의 반도체 나노소재가 격리되도록 반도체 나노소재 사이에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 상기 반도체 나노소재와 쇼트키 접합되도록 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 절연층 형성 단계는, 상기 수직 배열된 다수의 반도체 나노소재의 상부가 일정 높이 노출되도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
17 17
제 15항에 있어서, 상기 절연층 형성 단계는, 상기 수직 배열된 반도체 나노소재 상부 높이로 절연층을 코팅한 후 식각 공정을 통해 반도체 나노소재의 상부가 일정 높이 노출되도록 하는 것을반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
18 18
제 15항에 있어서, 상기 기판은 후면 접합 전극으로 사용할 수 있도록 전도성 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
19 19
반도체 나노소재와 금속층의 쇼트키 접합에 의해 생성되는 정류 작용에 의해 포톤 에너지를 가지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 장치 제조 방법에 있어서, 기판 상에 다수의 반도체 나노소재를 수평 배열하여 반도체 나노소재층을 형성하는 단계; 상기 반도체 나노소재층 상부에 상기 반도체 나노소재와 쇼트키 접합되도록 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
20 20
제 19항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층과 금속층 사이에는 상기 반도체 나노소재와 상기 금속층의 쇼트키 접합이 이루어질 수 있는 두께의 절연층이 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
21 21
제 20항에 있어서, 상기 기판의 하부에 후면 접합 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
22 22
제 20항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층의 일측 상부에 상기 반도체 나노소재와 오믹 접합을 이루는 금속 물질로 이루어지는 후면 접합 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
23 23
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층 상부에 상기 금속층과 오믹 접합을 이루는 금속 물질로 이루어지는 전면 접합 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
24 24
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층에 도핑 공정 또는 접합 공정을 진행하여 성격을 변화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
25 25
제 15항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 나노 섬유 지지층인 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
26 26
제 15항 내지 제 18항 또는 제 20항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 투명 재질의 반사방지막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
27 27
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 4족 진성 반도체 또는 4-4족 화합물 반도체 또는 3-5족 화합물 반도체 또는 2-6족 화합물 반도체 또는 4-6족 화합물 반도체 중 선택된 적어도 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
28 28
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 n형 반도체로서 반도체 나노소재의 일함수(Φs)가 금속층(Φm)의 일함수 보다 큰 반도체를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
29 29
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재는 p형 반도체로서 반도체 나노소재의 일함수(Φs)가 금속층(Φm)의 일함수 보다 작은 반도체를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
30 30
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층 형성 단계는, 화학적 기상 성장 방식(CVD) 또는 물리적 기상 성장 방식(PVD) 또는 전기화학 (Electrochemical) 방식으로 반도체 나노소재를 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
31 31
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층 형성 단계는; 나노 소재 성장 방식으로 성장시킨 나노 소재를 스핀 코팅 또는 프린팅 방식으로 배열시키는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
32 32
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층 형성 단계는; 나노 소재 성장 방식에 의해 성장된 나노 소재를 스핀 코팅 또는 프린팅 방식으로 배열한 후 임프린트(Imprint) 방식 또는 식각 공정을 통해 패터닝하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
33 33
제 15항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 나노소재층 형성 단계는; 반도체 성질의 기판을 식각하여 나노 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 제조 방법
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