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플렉시블 기판 상에 이격된 한 쌍의 금속전극을 형성하는 전극 형성단계;
상기 금속전극의 상면에 상기 금속전극보다 융점이 낮은 금속박막을 증착하는 박막 증착단계;
상기 금속전극들 및 상기 금속박막들 사이에 나노선을 정렬하는 정렬단계;
상기 금속박막의 융점보다 높은 온도로 상기 플렉시블 기판을 가열하는 가열단계; 및
용융된 금속박막 내로 상기 나노선이 삽입되고 용융된 금속박막이 상기 나노선을 감싸도록 응고되면서 상기 나노선과 상기 금속전극이 접합되는 접합단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속박막을 이용한 나노선 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 금속박막은 300℃ 이하의 융점을 가지는 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 금속박막을 이용한 나노선 트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서,
상기 금속박막은 인듐, 비스무스, 주석 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 금속박막을 이용한 나노선 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 가열단계에서는,
상기 금속박막의 융점보다 높고 상기 플렉시블 기판의 융점보다 낮은 온도 범위에서 가열하는 것을 특징으로 하는, 금속박막을 이용한 나노선 트랜지스터의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 금속박막을 이용한 나노선 트랜지스터
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