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반도체 세정용의 초순수수를 공급하는 초순수수 공급부와;상기 초순수수 공급부로부터 초순수수를 공급받으며, 소정부위에 세정수 배출부를 구비하는 반응기와; 상기 반응기 내부에 설치되는 한 쌍 이상의 전극과, 상기 전극에 전원을 인가하는 전원인가 유닛과; 상기 반응기로 공기를 공급하여 상기 한 쌍의 전극 사이가 물과 공기의 2상 공간이 되도록 유도하는 공기주입유닛과; 상기 세정수 배출부에서 배출된 활성화된 세정수를 이용하여 반도체를 세정하는 습식 세정장치를 포함하며,상기 공기주입유닛은, 상기 반응기의 일측에 설치된 다공이 형성된 산기관과 상기 산기관의 구멍을 통해 공기를 주입하는 송풍기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 반응기에 화학적 첨가제를 공급하는 캐미컬 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 반응기의 소정 부위에 세정가스 배출부를 형성하고, 상기 활성가스 배출부에서 배출되는 활성가스와 상기 세정수 배출부에서 배출되는 세정수를 혼합하여, 상기 습식 세정장치로 공급하는 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제3항에 있어서, 상기 혼합기는 벤추리관으로 이루어지며, 상기 벤추리관의 일측은 상기 활성가스 배출부와 연결되고, 병목 부분은 세정수 배출관과 연결되며, 타측은 상기 습식 세정장치와 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 내 부식성의 금속봉과 금속메쉬 중 선택된 어느 하나의 형태로서, 외부 표면에 유전체 코팅이 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극은 전원이 인가됨에 따라 방전하는 방전극과, 그 방전극에 대면하는 접지극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서,상기 공기주입유닛은 상기 한 쌍의 전극 하방에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서,상기 전원인가유닛은 고전압 펄스나 교류전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 활성가스 배출부에서 배출되는 세정가스의 O3를 계측하는 오존 계측기를 더 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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제1항에 있어서, 상기 세정수 배출부에서 배출되는 세정수의 오존량을 계측하는 세정수 오존 계측기를 더 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치
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한 쌍 이상의 전극이 설치된 반응기를 설치하는 단계와; 상기 반응기 내부에 초순수수와 공기를 공급하여 상기 한쌍의 전극 사이를 2 상 공간으로 만드는 단계와; 상기 한 쌍의 전극에 전원을 인가하여 플라즈마 방전을 유도하는 단계와; 상기 플라즈마 방전으로 발생하는 활성라디칼을 포함하는 세정수를 이용하여 반도체를 세정하는 단계를 포함하며,상기 공기의 공급은 상기 반응기의 일측에 설치된 다공이 형성된 산기관의 구멍을 통해 공기를 주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법
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제12항에 있어서,상기 반응기 내부에 초순수수와 함께 화학 첨가제를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법
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제13항에 있어서, 상기 반응기에서 미반응하여 배출되는 라디칼을 반응기에서 배출된 세정수에 용해시키는 이차 용해단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법
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제13항에 있어서, 상기 세정수의 오존량을 측정하고, 이 측정치에 따라 상기 플라즈마 방전을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법
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