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반도체 구조물, 이의 제조 방법 및 반도체 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015002592
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 구조물로서, 요철이 형성된 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층을 포함하고, 상기 요철은 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 볼록부와, 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 오목부와, 상기 볼록부와 오목부를 연결하여 소정의 기울기를 갖는 경사진 평면 또는 소정의 곡률을 갖는 곡면 형상의 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 다이오드를 제공한다. 상기 요철의 볼록부 상에 형성된 성장 마스크 패턴을 포함할 수 있다. 본 발명은 습식 식각을 통해 기판 표면에 요철을 형성하고, 식각에 의해 형성된 기판의 결정면에 반도체층을 수직 및 수평 성장시켜 반도체층의 관통 전위를 감소시킴으로써 결정성을 향상시킬 수 있다. 이로 인해 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 향상시키고 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한 기판의 요철 또는 성장 마스크 패턴의 다양한 각을 갖는 표면으로 인해 반도체 발광 다이오드의 적출 효율을 향상시킬 수 있다. 반도체, 에피택셜, 요철, 관통 전위, 수평 성장, 습식 식각, 발광 다이오드, LED
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020060065054 (2006.07.11)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0825137-0000 (2008.04.18)
공개번호/일자 10-2008-0006207 (2008.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20080424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.11)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정흥섭 대한민국 전북 전주시 덕진구
2 홍창희 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0495913-45
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0507315-89
3 보정요구서
Request for Amendment		 2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0105730-99
4 안내문(직권수리)
Notification(Ex officio Acceptance)		 2006.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0107836-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0415375-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0706786-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0706785-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0034005-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
요철이 형성된 기판;상기 요철의 볼록부 상에 형성된 성장 마스크 패턴;상기 성장 마스크 패턴이 형성된 기판 상에 형성된 반도체층; 을 포함하고, 상기 요철은 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 볼록부와, 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 오목부와, 상기 볼록부와 오목부를 연결하여 소정의 기울기를 갖는 경사진 평면 또는 소정의 곡률을 갖는 곡면 형상의 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 성장 마스크 패턴은 SiO2, SiOx, SiN2, SiNx, SiOxNy 또는 금속 물질로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
4 4
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 요철은 습식 식각에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
5 5
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 요철은 피라미드 또는 절두된 피라미드 형태의 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
6 6
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 반도체층은 상기 오목부로부터 수직 방향과, 상기 볼록부를 가로질러 수평 방향으로 성장된 에피택셜층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
7 7
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 반도체층은 불연속적이거나 표면에 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
8 8
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP 또는 GaAs으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
9 9
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN 또는 InAlGaN으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물
10 10
요철이 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 요철의 볼록부 상에 성장 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 요철은 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 볼록부와, 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 오목부와, 상기 볼록부와 오목부를 연결하여 소정의 기울기를 갖는 경사진 평면 또는 소정의 곡률을 갖는 곡면 형상의 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
청구항 10에 있어서,상기 요철이 형성된 기판을 마련하는 단계는,평면 기판 상에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 식각 마스크 패턴을 통한 습식 식각을 실시하여 요철을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 습식 식각은 H2SO4, H3PO4, BOE(buffered-oxide etch), HF, HNO3, KOH, NaCl, NaOH, KBrO3 용액, 이들의 혼합 용액 또는 이들의 희석 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 식각 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
14 14
청구항 12에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 오목부로부터 수직 방향과, 상기 볼록부를 가로질러 수평 방향으로 에피택셜층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는,400 내지 800℃의 온도에서 저온 핵형성층 또는 저온 버퍼층을 형성하는 단계; 900 내지 1150℃의 온도에서 에피텍셜층을 수직 성장시키는 단계; 및1050 내지 1200℃의 온도에서 에피텍셜층을 수평 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
16 16
요철이 형성된 기판; 상기 요철의 볼록부 상에 형성된 성장 마스크 패턴;상기 성장 마스크 패턴이 형성된 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하고, 상기 요철은 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 볼록부와, 수평면, 선 또는 점의 형태로 이루어진 오목부와, 상기 볼록부와 오목부를 연결하여 소정의 기울기를 갖는 경사진 평면 또는 소정의 곡률을 갖는 곡면 형상의 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드
17 17
삭제
18 18
청구항 16에 있어서,상기 성장 마스크 패턴은 SiO2, SiOx, SiN2, SiNx, SiOxNy 또는 금속 물질로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드
19 19
청구항 16 또는 청구항 18에 있어서,상기 반도체층, N형 반도체층, 활성층 또는 P형 반도체층은 불연속적이거나 표면에 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.