| 1 |
1
질화물 반도체로 형성된 n-층;상기 n-층상에 형성된 n-전극;상기 n-층을 가로질러 형성된 양단을 갖는 하나 이상의 전류확산전극;상기 전류확산전극의 일단에 형성된 하나 이상의 메탈아일랜드;상기 하나 이상의 메탈아일랜드와 상기 n-전극을 연결하는 확장전극;을 포함하는 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 전류확산전극의 일부에 연결된 메탈아일랜드와,상기 전류확산전극 위로 재성장된 GaN층을 포함하며,상기 메탈아일랜드 위로 GaN가 성장되지 않아 생기는 구멍을 가로질러 형성된 확장전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전류확산전극의 일부에 연결된 메탈아일랜드와,상기 전류확산전극 위로 형성된 에어바를 포함하며,상기 메탈아일랜드 위로 GaN가 성장되지 않아 생기는 구멍을 가로질러 형성된 확장전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 4 |
4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전류확산전극은 두 종류 이상의 금속이 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 n-층에 형성된 에어바를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 전류확산전극 상에 에어바를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 전류확산전극은 Ti, W, Sc 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 8 |
8
기판을 준비하는 단계;질화물 반도체로 n-층을 형성하는 단계;상기 n-층 위에 금속층을 형성하는 단계;상기 n-층을 가로질러 양단을 갖는 하나 이상의 전류확산전극과, 상기 전류확산전극의 일단에 연결된 하나 이상의 메탈아일랜드를 형성하는 단계; 활성층을 형성하는 단계;p-층을 형성하는 단계;n-전극 및 p-전극과, 상기 하나 이상의 메탈아일랜드와 상기 n-전극을 연결하는 확장전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 전류확산전극과 메탈아일랜드를 형성한 후, GaN층을 재성장하는 단계를 더 포함하며,상기 메탈아일랜드 위로 재성장된 GaN층을 관통하는 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서상기 전류확산전극과 메탈아일랜드를 형성한후, 실리콘옥사이드층을 형성하는 단계;상기 전류확산전극과 메탈아일랜드를 형성하기 위한 포토리소그래피용 마스크를 사용하여 상기 실리콘옥사이드를 패터닝하는 단계;GaN층을 재성장하는 단계;상기 메탈아일랜드 위로 재성장된 GaN층을 관통하는 구멍이 형성되는 단계; 및상기 구멍으로 습식식각액이 침투하여 실리콘옥사이드를 에칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속층은 두 종류 이상의 금속이 다층으로 형성되는 단계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 n-층의 하부 또는 내부에 에어바를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 에어바를 형성하는 마스크와 상기 전류확산전극을 형성하는 마스크가 동일한 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 13 |
13
기판을 준비하는 단계;질화물 반도체로 n-층을 형성하는 단계;전류확산전극과 메탈아일랜드 형성용 포토리소그래피용 마스크를 사용하여 감광막을 패터닝하는 단계;n-층 위에 금속층과 실리콘옥사이드층을 순차형성하는 단계;상기 감광막을 제거하여 전류확산전극과 메탈아일랜드, 실리콘옥사이드 패턴을 형성하는 단계;GaN층이 재성장되며, 상기 메탈아일랜드 위로 GaN층을 관통하는 구멍이 형성되는 단계; 및상기 구멍으로 습식식각액이 침투하여 실리콘옥사이드를 에칭하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는 두 종류 이상의 금속이 다층으로 형성되는 단계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 n-층의 하부 또는 내부에 에어바를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 에어바를 형성하는 마스크와 상기 전류확산전극을 형성하는 마스크가 동일한 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
