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요철이 형성된 기판을 마련하는 단계;400 내지 800℃의 온도에서 저온 핵형성층 또는 저온 버퍼층을 형성하는 단계와, 900 내지 1150℃의 온도에서 에피텍셜층을 수직 성장시키는 단계 및 1050 내지 1200℃의 온도에서 에피텍셜층을 수평 성장시키는 단계를 포함하여 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 요철은 수평면으로 이루어진 볼록부와 경사진 평면 또는 곡면 형상의 측면으로 이루어진 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 요철이 형성된 기판을 마련하는 단계는,평면 기판 상에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 식각 마스크 패턴을 통한 습식 식각을 실시하여 요철을 형성하는 단계; 및상기 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP 또는 GaAs으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 13에 있어서,상기 습식 식각은 H2SO4, H3PO4, BOE(buffered-oxide etch), HF, HNO3, KOH, NaCl, NaOH, KBrO3 용액, 이들의 혼합 용액 또는 이들의 희석 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 식각 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 에피텍셜층은 상기 볼록부로부터 수직 방향으로 성장된 후 상기 오목부를 가로질러 수평 방향으로 성장되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는 유기금속 화학 증착법(MOCVD), 화학 증착법(CVD), 플라즈마 강화 화학 증착법(PECVD), 분자선 성장법(MBE) 또는 수소화물 기상 성장법(HVPE)을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN 또는 InAlGaN으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 구조물의 제조 방법
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청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층 상에 N형 반도체층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 구조물의 제조 방법
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