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반도체 기판상에 과잉운반자의 이동도가 높은 과잉운반자 채널(ECC)층을 형성하는 단계;상기 ECC층 상부에 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 층 내에서 불순물의 측면확산과 수직확산의 속도를 제어하는 측면확산(LD)층을 형성하는 단계;를 포함하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,과잉운반자 채널(ECC)층과 반도체 기판과의 격자상수 차이를 이용하여 과잉운반자의 이동도를 높이며 에너지 밴드구조를 조절하여 과잉운반자의 구속효율이 높도록 하는 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 2항에 있어서,과잉운반자 채널(ECC)층은 도핑되지 않거나 1017cm-3이하의 채널농도를 가지며 Si, SiC, SiGe, SiGeC, GaAs, GaN, InP 및 InGaN으로부터 선택된 에피층인 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 측면확산(LD)층은 상기 반도체 층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 마스크를 사용하여 이온 주입하는 단계; 및 열처리 단계;를 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 측면확산(LD)층 형성 단계 이후에, 게이트 산화막 형성 단계; 게이트 패턴 형성 단계; 및 소스, 드레인 형성 단계;를 포함하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 측면확산(LD)층은 소스접합의 하단부에서 과잉운반자 채널층과 접합이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 층은 ECC층 상부에 반도체 박막 하층, 확산저지층 및 반도체 박막 상층을 순차적으로 형성한 것임을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 확산저지층은 반도체 박막 상층에 비해 불순물 확산계수가 2배 이상 감소되며 Si, SiC, SiGe, SiGeC, GaAs, GaN, InP 및 InGaN으로부터 선택된 에피층인 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 측면확산(LD)층은 수평 방향으로는 드레인 접합 상부에 접하며, 수직방향으로는 확산저지층에 의해 2단계의 확산계면을 형성하는 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판은 PD-SOI 기판이고, 상기 반도체 층은 반도체 PD층인 것을 특징으로 하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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제 10항에 있어서,측면확산(LD)층 형성 단계 이후에 소스, 드레인 및 소스커플 접합을 순차적으로 이온주입하여 형성하는 단계를 포함하는 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 9항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체 소자
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제 10항 내지 제 11항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 1/f 잡음이 작고 과잉운반자의 드레인 효율을 높인 이종접합 반도체 소자
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