맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015002676
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 표면에 다수개의 돌기로 형성된 소정 패턴을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 발광소자는 기판 상에 돌기들로 형성된 도형 형상의 단위패턴을 반복하여 형성함으로서 기판으로 입사되는 광을 난반사시킴으로서 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 발광소자는 기판의 계면 특성에 따라 패턴형상을 조절하여 그 위에 적층되는 질화물 반도체와의 격자불일치를 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100098845 (2010.10.11)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1182104-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자 10-2012-0037215 (2012.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.11)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이광재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김진수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 이진홍 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최재승 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)
2 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0655253-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0553861-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0934447-63
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0934453-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0214501-24
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0464601-97
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0553154-44
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0643761-82
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0643766-10
11 등록결정서
Decision to grant
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0511499-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 포함하되, 상기 기판은 그 표면에 반구 형상의 돌기들로 이루어진 육각형 단위 패턴을 포함하고, 상기 돌기의 크기 및 돌기 사이 간격을 변화시켜 단위면적당 평면분율을 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 발광소자는 상기 돌기의 직경, 높이, 돌기 사이 간격을 조절하여 단위패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 돌기는 직경 및 높이가 각각 0
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 육각형 단위패턴은 기판의 y축과 평행한 대각선을 가진 육각형을 상기 y축 기준으로 0 내지 90도의 각으로 회전한 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.