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제1기판의 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 상부에 N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층을 순차로 형성하는 단계;상기 N형 반도체층에 전극패드를 형성하도록 상기 P형 반도체층과 활성층을 선택적으로 식각하여 상기 N형 반도체층을 노출시키고, 상기 노출된 N형 반도체층의 상부 및 상기 P형 반도체층의 상부에 각각 N형 전극패드 및 P형 전극패드를 형성하여 PN접합의 복수의 발광셀을 형성하는 단계;상기 제1기판에서 상기 복수의 발광셀을 분리하는 단계; 및분리한 상기 복수의 발광셀을 제2기판의 상부에 형성한 복수의 메모리셀에 각각 대응되게 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 메모리셀은,상기 발광셀로의 전류의 흐름을 조절하는 MOS 스위치; 및상기 MOS 스위치의 입력에 연결되고 상기 MOS 스위치의 개폐동작을 제어하는 트랜지스터와 커패시터를 구비한 메모리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 발광셀을 분리하는 단계 전에, 인접한 상기 복수의 발광셀 사이에 접착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 발광셀을 분리하는 단계는, 상기 제1기판에서 상기 버퍼층을 제거하고 상기 제1기판에서 상기 복수의 발광셀을 분리하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 복수의 발광셀을 상기 제2기판의 상부에 부착한 경우에,상기 복수의 발광셀 사이에 형성한 접착층을 제거하고, 상기 MOS 스위치의 출력과 상기 발광셀의 N형 전극패드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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7
청구항 6에 있어서,상기 MOS 스위치의 출력과 상기 발광셀의 N형 전극패드를 연결한 경우에, 인접한 상기 복수의 발광셀 사이에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 절연막을 형성한 경우에, 상기 복수의 P형 전극패드의 상부에 투명금속을 증착하여 상기 복수의 P형 전극패드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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9
제3기판의 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 상부에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 순차로 형성하는 단계;상기 N형 반도체층에 전극패드를 형상하도록 상기 P형 반도체층과 활성층을 선택적으로 식각하여 상기 N형 반도체층을 노출시키고, 상기 노출된 N형 반도체층의 상부 및 상기 P형 반도체층의 상부에 각각 N형 전극패드 및 P형 전극패드를 형성하여PN접합의 복수의 발광셀을 형성하는 단계; 및상기 제3기판의 상면에 상기 복수의 발광셀 사이에 배치되는 복수의 메모리셀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 메모리셀은,상기 발광셀로의 전류의 흐름을 조절하는 MOS 스위치; 및상기 MOS 스위치의 입력에 연결되고 상기 MOS 스위치의 개폐동작을 제어하는 트랜지스터와 커패시터를 구비한 메모리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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11
삭제
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청구항 10에 있어서,상기 복수의 메모리셀을 형성한 경우에,상기 MOS 스위치의 출력과 상기 발광셀의 N형 전극패드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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13
청구항 12에 있어서,상기 MOS 스위치의 출력과 상기 발광셀의 N형 전극패드를 연결한 경우에,인접한 상기 복수의 발광셀 사이에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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14
청구항 13에 있어서,상기 절연막을 형성한 경우에, 상기 복수의 P형 전극패드의 상부에 투명금속을 증착하여 상기 복수의 P형 전극패드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원의 제조방법
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15
기판의 상부에 순차로 적층한 P형 반도체층, 활성층 및 N형 반도체층을 구비한 PN접합의 복수의 발광셀;상기 복수의 발광셀의 하부에 배치하고, 상기 복수의 발광셀에 각각 대응되게 상기 기판의 상면에 형성한 상기 복수의 발광셀의 발광상태를 독립적으로 제어하는 복수의 메모리셀; 및상기 복수의 발광셀 및 메모리셀에 전원을 인가하고, 상기 복수의 메모리셀의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원
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기판의 상부에 순차로 적층한 P형 반도체층, 활성층 및 N형 반도체층을 구비한 PN접합의 복수의 발광셀;상기 복수의 발광셀 사이에 배치하고, 상기 복수의 발광셀에 각각 대응되게 상기 기판의 상면에 형성한 상기 복수의 발광셀의 발광상태를 독립적으로 제어하는 복수의 메모리셀; 및상기 복수의 발광셀 및 메모리셀에 전원을 인가하고, 상기 복수의 메모리셀의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원
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청구항 15 또는 청구항 16에 있어서, 상기 메모리셀은,상기 발광셀로의 전류의 흐름을 조절하는 MOS 스위치; 및상기 MOS 스위치의 입력에 연결되고 상기 MOS 스위치의 개폐동작을 제어하는 트랜지스터와 커패시터를 구비한 메모리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원
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청구항 17에 있어서,상기 발광셀의 N형 반도체층의 상부에 형성한 N형 전극패드와 상기 MOS 스위치의 출력을 전기적으로 연결한 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원
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청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,상기 기판은 Si, GaAs, GaN, SiGe 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 리소그래피 광원
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