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버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조 방법 및 수직전도형소자

  • 기술번호 : KST2015002718
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si계 기판상에 두꺼운 GaN 버츄얼 에피층을 성장시킬 수 있는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Si계 기판상에 저온 버퍼층, 제1 GaN 에피층, Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층, 제2 GaN 에피층을 순차적으로 성장시킨 후 이온주입기법 및 어닐링(Annealing)에 의하여 상기 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층을 비정질의 SiO2층으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 질화갈륨계 에피기판의 제조방법에 관한 것이다.이와 같은 질화갈륨계 에피기판의 제조방법은 원하는 두께 및 형상의 SiO2층을 GaN 에피층의 하부에 정밀하게 형성함으로써, 균열없이 두꺼운 GaN 버츄얼 에피층을 성장시킬 수 있는 이점이 있다.질화갈륨, 이온주입법, 어닐링
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02694(2013.01) H01L 21/02694(2013.01) H01L 21/02694(2013.01)
출원번호/일자 1020060089357 (2006.09.14)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0772021-0000 (2007.10.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안춘호 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이인환 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0666001-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0360220-73
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0501976-32
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0501945-27
5 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2007.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0501992-63
6 등록결정서
Decision to grant
2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0400681-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) Si계 기판상에 저온 버퍼층을 성장시키는 공정과;b) 상기 저온 버퍼층 상에 얇은 제1 GaN 에피층을 성장시키는 공정과;c) 상기 GaN 에피층 상에 얇은 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층을 성장시키는 공정과;d) 상기 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층 상에 제2 GaN 에피층을 성장시키는 공정과;e) 이온주입기법에 의하여 상기 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층내에 이온을 주입하는 공정과;f) 이온이 주입된 상기 Si층 또는 고농도로 Si가 도핑된 GaN층을 어닐링에 의하여 비정질의 SiO2층으로 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 d)공정 이후 상기 제2 GaN 에피층의 일부를 마스킹하는 공정이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항의 버츄얼 질화갈륨계 에피기판의 제조방법을 이용하여 N 컨택트층/Si계 기판/저온 버퍼층/제1 GaN 에피층/SiO2층/제2 GaN 에피층/GaN 버츄얼 에피층/소자 에피층/P 컨택트층으로 순차적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 전도형 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.