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질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015002720
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	동종접합 구조의 질화물계 반도체 나노와이어를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 발광 다이오드는, 기판 상에 형성된 제 1 도전형의 질화물계 반도체층을 포함한다. 제 1 전극은 질화물계 반도체층 상에 형성된다. 제 2 전극은 질화물계 반도체층 상에 절연층을 개재하여 형성되고, 제 1 전극과 이격된다. 하나 또는 복수의 질화물계 반도체 나노와이어들은 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형을 갖고, 질화물계 반도체층 및 제 2 전극을 연결하도록 배치된다. 그리고, 질화물계 반도체층 및 질화물계 반도체 나노와이어들은 동종접합을 형성한다.
Int. CL	H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자	1020060094987 (2006.09.28)
출원인	전북대학교산학협력단
등록번호/일자	10-0810146-0000 (2008.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20080306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.09.28)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이상권	대한민국	전북 전주시 덕진구
2	김태홍	대한민국	경기 시흥시
3	이승용	대한민국	전북 전주시 완산구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.09.28	수리 (Accepted)	1-1-2006-0710455-79
2	전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document	2006.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-5076865-18
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.06.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0043526-43
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0470155-05
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2007.10.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0778689-51
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.10.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0778688-16
8	등록결정서 Decision to grant	2007.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0651974-16
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 형성된, 제 1 도전형의 질화물계 반도체층;상기 질화물계 반도체층 상에 형성된 제 1 전극;상기 질화물계 반도체층 상에 절연층을 개재하여 형성되고, 상기 제 1 전극과 이격된 제 2 전극; 및상기 질화물계 반도체층 및 상기 제 2 전극을 연결하도록 배치되고, 하나 또는 복수의 상기 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형의 질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하고,상기 질화물계 반도체층과 상기 질화물계 반도체 나노와이어들은 동종접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 도넛 형상을 갖고, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극의 도넛 내부 공간에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체 나노와이어들은 상기 제 2 전극을 따라서 정렬된 어레이 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 질화물계 반도체층 사이의 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층은 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5	5 제 1 항 내지 제 4 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층은 GaN층을 포함하고, 상기 질화물계 반도체 나노와이어들은 GaN 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6	6 기판 상에 제 1 도전형의 질화물계 반도체층을 형성하는 단계;상기 질화물계 반도체층의 일부분 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층으로부터 노출된 상기 질화물계 반도체층 부분 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및하나 또는 복수의 상기 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형의 질화물계 반도체 나노와이어들을, 상기 질화물계 반도체층 및 상기 제 2 전극을 서로 연결하고 상기 질화물계 반도체층과 동종접합을 형성하도록 정렬하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체 나노와이어들을 정렬하는 단계는, 상기 제 2 전극에 전원을 인가한 상태에서 상기 질화물계 반도체 나노와이어들을 담고 있는 액체를 상기 기판 상에 뿌려서 상기 질화물계 반도체 나노와이어들을 상기 제 2 전극 주위에 정렬하는 유전영동 증착법(DADD)을 이용한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 도넛 형상을 갖도록 형성하고, 상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극의 도넛 내부 공간에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층을 형성하기 전에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
10	10 제 6 항 내지 제 9 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체층은 GaN층을 포함하고, 상기 질화물계 반도체 나노와이어들은 GaN 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0810146-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060928 출원 번호 : 1020060094987 공고 연월일 : 20080306 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071130 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20150228

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	310,500 원	2008년 02월 28일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2011년 01월 11일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2012년 01월 18일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2013년 02월 18일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2014년 02월 12일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.09.28	수리 (Accepted)	1-1-2006-0710455-79
2	전자문서첨부서류제출서	2006.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-5076865-18
3	선행기술조사의뢰서	2007.06.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2007.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0043526-43
5	의견제출통지서	2007.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0470155-05
6	[명세서등 보정]보정서	2007.10.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0778689-51
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.10.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0778688-16
8	등록결정서	2007.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0651974-16
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79


기술번호	KST2015002720
자료제공기관	NTB
기술공급기관	전북대학교
기술명	질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
기술개요	동종접합 구조의 질화물계 반도체 나노와이어를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 발광 다이오드는, 기판 상에 형성된 제 1 도전형의 질화물계 반도체층을 포함한다. 제 1 전극은 질화물계 반도체층 상에 형성된다. 제 2 전극은 질화물계 반도체층 상에 절연층을 개재하여 형성되고, 제 1 전극과 이격된다. 하나 또는 복수의 질화물계 반도체 나노와이어들은 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형을 갖고, 질화물계 반도체층 및 제 2 전극을 연결하도록 배치된다. 그리고, 질화물계 반도체층 및 질화물계 반도체 나노와이어들은 동종접합을 형성한다.
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415092128
세부과제번호	R-2008-3-020
연구과제명	Nano-LED원천기술개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	전북대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200811~200910
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020060094987]	질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법	새창보기

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