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화합물 반도체의 단결정 박막을 제조하는 방법으로서,기판을 마련하는 단계;상기 기판 위에 직접 접촉하며 섬형상의 단결정 씨드를 구비하여 단결정 아일랜드 층을 형성하는 단계;상기 단결정 아일랜드 층의 수직 성장을 촉진하여 단결정 돌출 구조를 형성하는 단계;상기 단결정 아일랜드 층의 수평 성장을 촉진하여 평탄하고 연속적인 단결정 층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단결정 아일랜드 층을 형성하는 단계는 단결정 성장이 진행되는 동안 성장 온도가 초기 온도(T1)에서 후기 온도(T2)로 변화되는 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 초기 온도(T1)는 섭씨 500 내지 900도 범위이며, 후기 온도(T2)는 섭씨 800 내지 1200도 범위인 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 초기 온도(T1)에서 기판 위에 화합물 반도체의 단결성 씨드가 형성되는 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 성장 온도의 변화는 시간에 따라 연속적으로 변화되거나, 불연속적으로 변화되거나, 일정 온도로 유지되는 구간을 포함하는 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 단결정 돌출 구조를 형성하는 단계의 성장 온도(T3)는 상기 후기 온도(T2) 보다 높거나 낮으며 상기 초기 온도(T1) 보다는 높은 범위인 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 단결정 돌출 구조를 형성하는 단계의 성장 온도는 섭씨 700 내지 1100도 범위인 화합물 반도체 단결정 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 연속적인 단결정 층을 형성하는 단계의 성장 온도(T4)는 섭씨 900 내지 1300도 범위인 화합물 반도체 단결정 박막 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 연속적인 단결정 층을 형성하는 단계의 성장 온도(T4)는 상기 단결정 돌출 구조를 형성하는 단계의 성장 온도(T3)는 보다 높은 범위인 화합물 반도체의 단결정 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판은 사파이어, GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, GaAs로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체 단결정 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 화합물 반도체는 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN으로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체 단결정 박막 제조 방법
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화합물 반도체로서,기판;상기 기판 위에 직접 접촉하여 형성된 화합물 반도체의 단결정 박막을 포함하고, 상기 화합물 반도체의 단결정 박막은 상기 기판에 바로 접촉하여 형성된 단결정 씨드가 아일랜드 형상으로 성장하고, 이후 상기 단결정 아일랜드 층을 수직 성장한 다음 수평 성장하여 연속적 박막으로 제조된 화합물 반도체
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청구항 13에 있어서, 상기 기판은 사파이어, GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, GaAs로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체
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청구항 13에 있어서, 상기 화합물 반도체의 단결정 박막은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN으로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체
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