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백색 엘이디의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015002750
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백색 LED의 제조방법에 관한 것으로 ELOG를 제작하는데 있어 mask의 크기를 달리하여 그 위에 활성층을 성장시킴에 따라 한 칩에서 여러 종류의 파장의 빛을 내도록 하는 백색 LED의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 사파이어 기판위에 버퍼층, u-GaN층, Si가 도핑된 n-GaN층, SiO₂ 층을 순서대로 성장한 후, 상기 SiO₂ 층 위에 각각 일정한 비율로 이루어진 적어도 두개 이상의 윈도우/마스크 패턴을 형성한다. 그리고, 상기 일정한 비율로 이루어진 윈도우/마스크 패턴 중 상기 윈도우 부분만을 오픈시켜 상기 SiO2 층을 식각(etching)한 후, 상기 부분적으로 식각된 SiO₂층 위에 피라미드형 ELOG GaN층, InGaN/GaN MQW(Multiple Quantum Well) 활성층 및 P-GaN을 성장한다. 본 발명은 단일칩이 여러파장의 빛을 내도록 설계하여 단일 칩 백색 발광소자를 제작할 수 있으며, 가시광선 전체 영역을 발광할 수 있어서 연색지수 또한 높으므로 실내조명이나 디스플레이 조명으로 사용하기 적합한 효과가 있다. LED 기판
Int. CL H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/08 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020070023072 (2007.03.08)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0857410-0000 (2008.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.08)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이인환 대한민국 전북 전주시 완산구
2 주진우 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 강은실 대한민국 전북 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0191512-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000370-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0141528-38
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0338381-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0422153-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0422169-62
8 등록결정서
Decision to grant
2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0449637-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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사파이어 기판위에 버퍼층, u-GaN층, Si가 도핑된 n-GaN층, SiO₂ 층을 순서대로 성장하는 단계;상기 SiO₂층 위에 각각 다른 비율로 이루어진 적어도 두 개 이상의 윈도우/마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 각각 다른 비율로 이루어진 윈도우/마스크 패턴 중 상기 윈도우 패턴 하부에 해당하는 상기 SiO2 층을 식각(etching)하는 단계;상기 마스크 패턴의 하부에 해당하는 식각되지 않은 SiO2층 위에 피라미드형 ELOG GaN층을 성장하는 단계; 상기 피라미드 ELOG GaN층 경사면 위에 InGaN/GaN MQW(Multiple Quantum Well) 활성층을 성장시키는 단계; 및 상기 InGaN/GaN MQW 활성층 위에 P-GaN을 성장하는 단계;를 포함하여 이루어지고, 상기 윈도우/마스크의 비율은 각각 m×n이며, 상기 m:n의 비는 1:1~1:10이 고, 상기 m의 범위는 1<m<20μm이고, n의 범위는 1<n<40μm인 것을 특징으로 하는 백색 LED의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.