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광학적 자기 보상 스플레이 구조를 갖는 액정표시소자

  • 기술번호 : KST2015002789
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 배향된 단일 도메인 액정 표시 소자로 광시야각 특성을 보이고 높은 투과율과 고속응답을 보이는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특정 전압을 인가하여 액정 분자들이 스플레이(splay) 상태로 전이된 후 수직 전기장을 이용하여 투과형과 반사형 단일 도메인 수직 배향 액정 표시 장치를 각각 제작할 수 있다. 단일 도메인, 스플레이 배열, 투과형·반사형 액정 표시 소자, 수직 전기장
Int. CL G02F 1/1337 (2006.01.01) G02F 1/139 (2006.01.01) G02F 1/1337 (2006.01.01)
CPC G02F 1/133753(2013.01) G02F 1/133753(2013.01) G02F 1/133753(2013.01) G02F 1/133753(2013.01)
출원번호/일자 1020040065257 (2004.08.19)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0659487-0000 (2006.12.13)
공개번호/일자 10-2004-0080403 (2004.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (20070115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승희 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김승재 대한민국 전라북도 부안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 하이디스 테크놀로지 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0370064-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0114361-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2006-5051159-10
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-5035624-27
5 의견서
Written Opinion		 2006.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-5035625-73
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0374363-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 기판과;상기 상부 기판의 하부에 위치한 수직 배열 된 유전율 이방성이 음(-)인 액정층과;상기 상부 액정층 하부에 위치한 하부 기판과;임계전압 이하의 전압이 인가되면 상하판에 수직 배열된 액정들이 180o 꼬이면서 상하판에 평행하게 눕는 배열;임계전압 이상의 펄스 또는 고전압을 인가했을 때 액정이 꼬임없이 상하기판에 평행하게 눕는 스플레이 배열을 나타내는 액정 표시 소자
2 2
상부 편광판과; 상기 상부 편광판의 하부에 위치한 450~510nm의 위상차를 갖는 discotic 형태의 상부 위상 필름과; 상기 상부 위상 필름의 하부에 위치한 상부 기판과; 상기 상부 기판의 하부에 위치한 스플레이 배열의 액정층과; 상기 액정층 하부에 위치한 하부 기판과; 상기 하부 기판의 하부에 위치한 하부 편광판을 포함하는 단일 도메인의 수직 전기장을 이용한 NW 모드 투과형 액정 표시 소자
3 3
상부 편광판과;상기 상부 편광판의 하부에 위치한 250~300nm의 위상차를 갖는 uniaxil film을 사용한 상부 위상필름과;상기 상부 위상필름의 하부에 위치한 상부 기판과;상기 상부 기판의 하부에 위치한 스플레이 배열의 액정층과;상기 액정층 하부에 위치한 하부 기판과;상기 하부 기판의 하부에 위치한 하부 편광판을 포함하는 단일 도메인의 수직 전기장을 이용한 초기에 어둠을 표시하는 NB 모드 투과형 액정 표시소자
4 4
상부 편광판과; 상기 상부 편광판의 하부에 위치한 HWP와; 상기 HWP 하부에 위치한 QWP와; 상기 QWP 하부에 위치한 상부 기판과; 상기 상부 기판의 하부에 위치한 스플레이 배열의 액정층과; 상기 액정층 하부에 위치한 하부 반사 전극과; 상기 하부 반사 전극의 하부에 위치한 하부 기판을 포함하는 단일 도메인의 수직 전기장을 이용한 NW 모드 반사형 액정 표시 소자
5 5
상부 편광판과;상기 상부 편광판의 하부에 위치한 λ/2의 위상값을 갖는 HWP와;상기 λ/2의 위상값을 갖는 HWP의 하부에 위치한 상부 기판과;상기 상부 기판의 하부에 위치한 스플레이 배열의 액정층과;상기 액정층 하부에 위치한 하부 반사 전극과;상기 하부 반사 전극의 하부에 위치한 하부 기판을 포합하는 단일 도메인의 수직 전기장을 이용한 초기에 어둠을 표시하는 NB 모드 반사형 액정 표시 소자
6 5
상부 편광판과;상기 상부 편광판의 하부에 위치한 λ/2의 위상값을 갖는 HWP와;상기 λ/2의 위상값을 갖는 HWP의 하부에 위치한 상부 기판과;상기 상부 기판의 하부에 위치한 스플레이 배열의 액정층과;상기 액정층 하부에 위치한 하부 반사 전극과;상기 하부 반사 전극의 하부에 위치한 하부 기판을 포합하는 단일 도메인의 수직 전기장을 이용한 초기에 어둠을 표시하는 NB 모드 반사형 액정 표시 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.