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초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법

  • 기술번호 : KST2015002860
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법, 그에 의한 초전도체소자용 산화아연 나노막대에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 티탄산 스트론튬(STO : Strontium Titanate) 기판을 고온으로 가열하면서 상기 STO 기판 위에 아연과 산소를 결합한 산화아연을 유기금속 화학증착법(MOCVD)으로 증착시킴으로써 상기 STO 기판에 고품질의 산화아연 나노막대를 성장시킨 후 이에 초전도체인 이트륨 바륨 구리산화물(YBCO, Yttrium Barium Copper Oxide, YBa2Cu3O7-x) 박막을 증착시킴으로써 상기 YBCO 박막에 전류가 인가되더라도 상기 YBCO 박막 내의 자기소용돌이(vortex)가 산화아연 나노막대에 의해 고정(pinning)되므로 전기적인 저항 없이 전류가 원활하게 흐르도록 한 것에 특징이 있는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법 및 그에 의한 초전도체 소자용 산화아연 나노막대에 관한 것이다.
Int. CL C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100089833 (2010.09.14)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1219247-0000 (2012.12.31)
공개번호/일자 10-2012-0027951 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상욱 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황여현 대한민국 대전광역시 서구 문예로 ***, KT&G빌딩 *층 (둔산동)(화평국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0595703-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0462575-97
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0692190-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0692198-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
7 등록결정서
Decision to grant
2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0800733-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
티탄산 스트론튬(STO : Strontium Titanate) 기판을 준비하는 1단계(S-1)와;상기 티탄산 스트론튬 기판에 유기금속 화학증착법(MOCVD : Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)으로 아연 원자층을 증착시키고, 아연 전구체와 산소의 주입비를 조절하여 산소와 아연층이 번갈아가면서 차례대로 쌓여지도록 하는 산화아연 나노막대를 성장시키는 2단계(S-2)와;상기 성장된 산화아연 나노막대에 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 스퍼터링(Sputtering) 증착법으로 이트륨 바륨 구리산화물(YBCO) 박막을 증착시키는 3단계(S-3);를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 1단계(S-1) 내지 2단계(S-2)의 티탄산 스트론튬 기판은 300 내지 600℃로 가열됨을 특징으로 하는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 2단계(S-2)에서 아연 전구체와 산소의 주입비는 아연 전구체 1㎖에 대해 산소 280 내지 320㎖의 부피비율로 주입하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 2단계(S-2)에서 산화아연 나노막대는 수직으로 성장되는 길이가 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 2단계(S-2)에서 산화아연 나노막대는 수직으로 성장되는 굵이가 10nm 내지 100nm 범위인 것을 특징으로 하는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 3단계(S-3)의 YBCO 박막을 증착시키는 것은 700 내지 800℃로 온도를 유지함을 특징으로 하는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항의 초전도체 소자용 산화아연 나노막대 성장방법으로 제조되는 초전도체 소자용 산화아연 나노막대
8 8
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.