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절연체 기판, 소스-드레인 전극 및 탄소나노튜브로 구성된 채널층을 포함하는 반도체 소자에 감광물질을 도포하는 단계;상기 소스-드레인 전극에 소정의 전압을 인가하여 상기 채널층 중 금속성 탄소나노튜브 상부에 도포된 감광물질을 제거하는 단계 및상기 반도체 소자에 소정 시간동안 열처리를 수행하여 상기 금속성 탄소나노튜브를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광물질을 제거하는 단계는,상기 금속성 탄소나노튜브의 온도가 200 내지 300도가 되도록 상기 소스-드레인 전극에 소정의 전압을 인가하는 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 산소 플라즈마(Oxygen Plasma)처리 공정인 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 금속성 탄소나노튜브를 제거하는 단계는,상기 절연체 기판 또는 상기 채널층 중 반도체성 탄소나노튜브가 외부로 노출되기 전까지 수행하는 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 소스-드레인 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계 및상기 게이트 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브 반도체 소자 제조방법
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