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나노센서 제조기술

  • 기술번호 : KST2015002929
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법은, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계; 전극 사이에 희생층을 적층하는 희생층 적층단계; 전극 상부에 개방홀과 전기접촉부가 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층단계; 전도성고분자의 모노머가 용해된 현탁액에 희생층 및 절연층이 적층된 전극을 침지한 상태로 전극 및 현탁액에 전류를 공급하여 절연층의 개방홀에 전도성고분자를 적층되게 하는 전도성고분자 적층단계; 희생층과 절연층 및 전도성고분자가 적층된 전극을 절연층제거액에 침지시켜 절연층을 제거하는 절연층 제거단계; 희생층 및 전도성고분자가 적층된 전극을 희생층제거액에 침지시켜 희생층을 제거하는 희생층 제거단계; 희생층제거단계를 거친 후 전도성고분자에 탐침유전자를 결합시키는 기능화단계를 포함한다. 이와 같은 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법은, 전도성고분자의 나노와이어를 어레이로 만들어 사용함으로써 적은 시료양으로 낮은 DNA농도도 검출할 수 있게 하는 효과를 제공할 수 있다. DNA, 유전자, 나노, 센서, 나노와이어, 전도성고분자
Int. CL C12Q 1/68 (2011.01) B82Y 5/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC C12Q 1/6825(2013.01) C12Q 1/6825(2013.01) C12Q 1/6825(2013.01) C12Q 1/6825(2013.01)
출원번호/일자 1020080009137 (2008.01.29)
출원인 한국기계연구원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0999957-0000 (2010.12.03)
공개번호/일자 10-2009-0083146 (2009.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임현의 대한민국 대전 서구
2 정소희 대한민국 대전 유성구
3 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 김완두 대한민국 대전광역시 서구
5 문원규 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0075267-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0044739-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486480-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0053738-34
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0129117-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0184010-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0184007-16
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0321744-19
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0035701-29
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0491439-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
한 쌍의 전극을 연결하는 전도성고분자로 된 나노와이어를 형성하여 DNA센서를 제조하는 방법에 있어서, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계와; 상호 이격된 상기 전극 사이에 희생층을 적층하는 희생층 적층단계와; 상기 희생층이 적층된 상기 전극 상부에 개방홀과 전기접촉부가 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층단계와; 전도성고분자의 모노머가 용해된 현탁액에 상기 희생층 및 절연층이 적층된 상기 전극을 침지한 상태로 상기 전극 및 현탁액에 전류를 공급하여 상기 절연층의 개방홀에 전도성고분자를 적층되게 하는 전도성고분자 적층단계와; 상기 희생층과 절연층 및 전도성고분자가 적층된 상기 전극을 절연층제거액에 침지시켜 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거단계와; 상기 희생층 및 전도성고분자가 적층된 상기 전극을 희생층제거액에 침지시켜 상기 희생층을 제거하는 희생층 제거단계; 및, 상기 희생층제거단계를 거친 후 상기 전도성고분자에 탐침유전자(probe DNA)를 결합시키는 기능화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 모노머는 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 아세틸렌(C2H2), 피닷(PEDOT), 티오펜(thiophene) 및, 이들의 유도체인 아민(NH2) 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 탐침유전자는 5´끝단의 구아닌 염기 핵산을 3 내지 10 사이로 갖는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 희생층 제거단계 후에는 상기 전극과 상기 전도성고분자 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록 상기 전극의 상기 전도성고분자와 접촉하는 부분에 대해 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 금속층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 DNA센서 제조방법
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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