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오존 및 Vapor를 이용한 포토레지스트 제거공정

  • 기술번호 : KST2015002979
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 웨이퍼를 공정챔버 내부로 이동하는 로딩단계와; 상기 공정챔버 내부를 가열하는 공정챔버 가열단계와; 상기 공정과정의 수증기의 온도와 분사량, 오존가스의 분사량 및 시간을 설정하는 설정단계와; 상기 가열된 공정챔버 내부에 수증기를 주입하는 수증기 주입단계와; 상기 오존가스를 고농도로 발생시켜 주입하는 오존가스 주입단계와; 상기 오존가스와 포토레지스트가 반응하여 포토레지스트가 제거되는 제거단계와; 상기 오존가스와 수증기가 혼합된 혼합가스가 배출장치를 통해 배출되는 배출단계와; 상기 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질들을 고온수로 세정함과 동시에 웨이퍼를 냉각 하며 오염수가 배출되는 고온수 세정 배출 및 건조단계와; 상기 반도체 웨이퍼를 다음 공정챔버로 이동하는 언로딩 단계;를 포함하여 이루어지는 일괄처리방식의 반도체 웨이퍼 포토레지스트 제거 공정방법에 관한 것이다.또한, 본 발명은 포토레지스트 제거 공정구현 설비에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼와 LCD기판을 공정챔버로 이동시키는 로딩장치와; 상기 오존가스를 발생하여 공정챔버 내부로 공급하는 오존가스 발생장치와; 상기 순수를 가열하여 수증기를 공정챔버 내부에 공급하는 수증기 발생장치와; 상기 순수를 고온으로 가열하여 공정챔버 내부의 반도체 웨이퍼 및 LCD기판을 세정하는 고온수 발생장치와; 상기 혼합가스와 잔류하는 이물질들을 세정한 고온수를 배출하는 배출장치와; 상기 장치들을 제어하는 제어장치;를 포함하여 특징으로 하는 포토레지스트 제거 공정구현 설비에 관한 것이다.포토레지스트 제거, 포토레지스트, 오존가스, 공정챔버, 웨이퍼, LCD기판
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01)
출원번호/일자 1020060011989 (2006.02.08)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0780290-0000 (2007.11.22)
공개번호/일자 10-2007-0080662 (2007.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20071128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.08)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손영수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0091953-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012550-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0152042-74
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0377402-26
6 의견서
Written Opinion
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0377403-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0341382-60
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0603054-21
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0603053-86
10 등록결정서
Decision to grant
2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0619326-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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포토레지스트 제거 공정구현 설비에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼(10)와 LCD기판(10)을 공정챔버(90)로 이동시키는 로딩장치와;상기 공정챔버(90) 내부로 반도체 또는 LCD 제조공정 적용을 위해 14wt%이상의 고농도 오존가스를 생성하여 공급하는 오존가스 발생장치(40)와;순수(50)를 가열하여 수증기를 공정챔버(90) 내부에 공급하는 수증기 발생장치(20)와; 상기 순수(50)를 고온으로 가열하여 공정챔버(90) 내부의 반도체 웨이퍼(10) 및 LCD기판(10)을 세정하는 고온수 발생장치(30)와;상기 오존가스와 수증기가 혼합된 혼합가스와 잔류하는 포토레지스트와 오존가스 및 수증기를 포함한 이물질들을 세정한 고온수를 배출하는 배출장치(60)와;상기 오존가스 발생장치(40), 수증기 발생장치(20), 고온수 발생장치(30), 배출장치(60), 공정챔버(90)의 방전전력과 공정온도, 수증기 주입량, 공정반응 및 반복시간을 제어하는 제어장치(150);를 포함하여 구성되어지되, 상기 반도체 웨이퍼 공정 챔버에는 일측에 오존가스를 분사하는 분사노즐(80)이 형성되고, 타측에 수증기가 분사되는 분사노즐(70)이 형성되어지며, 상기 LCD기판 공정챔버에는 오존가스와 수증기가 분사되는 분사노즐(70,80)이 LCD기판(10) 표면과 수평으로 위치하여 높이 조절이 가능 하도록 구성되고, 상기 분사노즐(70,80)은 정면상 원형의 형상 또는 정면상 판 형태의 플레이트에 가늘고 긴 다중의 홈(Slit)이 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 공정구현 설비
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