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초음파분무법에의한산화아연계및산화아연/산화주석이중층투명전도막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015003050
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명전도막은 비정질 규소 태양전지나 액정표시장치 등의 박막표시장치에서 투명전극으로 사용되므로 가시광 투과율이 높고, 전기 저항이 작고, 화학적으로 안정되어 있어야 하며, 태양전지용 투명전도막의 경우 입사된 태양광의 다중 산란에 의한 반사 손실을 줄이기 위하여 요철구조의 표면형상을 가지고 있어야 한다. 본 발명은 원료인 아연 화합물, Ⅲ족 원소의 화합물, 물 및 메탄올의 혼합용액을 초음파를 이용하여 무화시키고, 이를 반송가스에 실어 가열된 기판 위에서 열분해·산화 시킴으로써 산화아연계 박막을 투명한 기판에 입혀 투명전도막을 제조하는 방법이다. 산화아연계 투명전도막은 산화아연의 에너지 간격(금지대의 폭)이 크므로 가시광 투과율이 높으며, 불순물로서 Ⅲ족 원소를 미량 함유하기 때문에 전기 저항이 작고, 산화아연의 결합 에너지가 매우 크르모 화학적으로 안정되어 있다. 또한 본 발명에서는 원료 혼합용액을 초음파를 이용하여 무화시키는 방법을 사용하므로 CVD 법과는 달리 박막 제조장치의 구성과 조작이 간편하고, 원료의 투입을 물질별로 독립적으로 해야되는 번거로움을 피할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) C23C 18/16 (2006.01.01)
CPC H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01)
출원번호/일자 1019950025877 (1995.08.22)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0176291-0000 (1998.11.13)
공개번호/일자 10-1997-0012993 (1997.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.08.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진수 대한민국 대전광역시유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에코인프라홀딩스 경기도 안양시 동안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0108212-88
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0108211-32
3 특허출원서
Patent Application		 1995.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0108210-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0056630-99
5 의견서
Written Opinion		 1998.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0108214-79
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0108213-23
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0469016-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
18 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1069058-97
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판 위에 메탄올을 주용매로하여 초음파오 진동무화시켜 투명전도막을 형성시키는 방법에 있어서, 상기 주용매인 메탄올에 순수와 아연 화합물 및 Ⅲ족 원소 화합물의 혼합용액을 초음파로 진동시켜 무화시킨후, 이를 반송가스와 함께 가열된 유리기판 또는 산화주석(Ⅶ족 원소를 함유한 것 포함)의 막이 입혀진 유리기판과 접촉시켜 열분해·산화 반응에 의한 불순물로서 Ⅲ족 원소가 함유된 산화 아연을 주성분으로 하는 투명전도막을 얻는 것을 특징으로 하는 산화아연 단일층 투명전도막 또는 산화아연/산화주석 이중구조 투명전도막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 유리기판은 코닝 7059 바륨붕사유리, 소다석회유리, 소다석회유리 위에 알칼리 이온의 확산을 억제하기 위한 산화규소(SiO2) 막이 입혀진 유리 또는 이와같은 유리 위에 산화주석(Ⅶ족 원소를 함유한 것 포함)막이 입혀진 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 투명전도막의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 아연 화합물은 ZnCl2, Zn(CH3COO)2·nH2O 중의 하나이고, Ⅲ족 원소의 화합물은 AlCl3 나 InCl3 중의 하나이며, 혼합용액 중에서 아연에 대한 Ⅲ족 원소의 무게비가 0

4 4

제1항에 있어서, 혼합용액 중 몰에 대한 메탄올의 몰(mole) 비가 0

5 5

제1항에 있어서, 초음파 진동자의 발생 주파수가 1 ∼ 2 ㎒인 투명전도막의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 반송가스는 공기, 산소(O2), 질소(N2), 수소(H2)중의 하나인 투명전도막의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 열분해·산화 반응을 위한 유리기판의온도가 300 ∼ 500℃범위인 투명전도막의 제조방법

8 8

제1항에 있어서, 산화아연의 막은 두께가 0

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국가 R&D 정보가 없습니다.